技術參數

1.等離子體源&電源：
•圓形等離子體源 
    􀁸100 up to300 mm 等離子體源
•矩形等離子體源
    􀁸長度: up to 500 mm (up to 2,000 mm for large planar area deposition)
•電源
    􀁸射頻發生器：頻率13.56 MHz
    􀁸電源: 600 -2,000 W (up to 10 kW) for ICP Module
                                  300 -600 W for Substrate Bias

2.薄膜沉積控制：
•膜厚監控和沉積時間可通過計算機程序控制
•薄厚監控和沉積速率可通過計算機程序控制 
    􀁸支持大面積沉積（如：氧化硅、氮化硅等） 
    􀁸也可用于太陽能電池領域
•質量流量和自動壓力控制 
    􀁸質量流量控制器：各種氣體 
    􀁸Baratron真空規：等離子體處理 
    􀁸節流閥和控制器

3.真空室：
•圓柱形腔體
    •直徑: φ300 ~ 600 mm (Substrate : 100 to 300 mm)
    •高度: 400 mm
•方形腔體 
    •根據客戶的需求定制

4.真空泵和測量裝置：
•低真空: 干泵，增加泵和Convectron真空規
•高真空: 用于刻蝕的渦輪分子泵和離子規

5.控制系統：PLC, 觸摸屏計算機控制