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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>工藝測量和檢測設備>薄膜應力測試儀>FLX-2320-R 薄膜應力測試儀/日本TOHO

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FLX-2320-R 薄膜應力測試儀/日本TOHO

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上海麥科威半導體技術有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業的微納材料、半導體和微電子材料及器件研發儀器及設備的供應商,所銷售的儀器設備廣泛用于高校、研究所、以及半導體和微電子領域的高科技企業。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設立分公司和辦事處,快速響應客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導體技術有限公司主要銷售產品包括:  - 霍爾效應測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結爐;  - 電子束蒸發鍍膜機,熱蒸發鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統,等離子增強原子層沉積設備;  - 電化學C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統; - 光學膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統-PLD-納米壓印;-等離子清洗機、去膠機;-反應離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發機,化學沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業客戶:華為技術有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術, 安徽格恩半導體, 蘇州稀晶半導體科技, 矽品半導體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(常州),偉創力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學, 汕頭大學, 南方醫科大學, 清華大學, 北京大學, 復旦大學, 西北工業大學, 南京醫科大學, 香港中文大學, 香港城市大學, 蘇州大學, 深圳職業技術學院, 南京大學合肥國家試驗室, 上海交通大學醫學院, 華南理工大學,華東師范大學,江南大學,重慶26所, 深圳大學, 南方科技大學, 深圳技術大學, 理化技術研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學, 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農業協同創新研究院等。









半導體設備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

日本TOHO FLX系列

薄膜應力量測設備FLX系列設備是由日本TOHO公司所生產的,廣泛應用于半導體行業薄膜應力的量測。

測試原理

在硅晶圓或者其他材料基地上附著薄膜,由于襯底于薄膜的物理常數不同,將會產生應力而導致襯底基板形變。由于均勻附著的薄膜引起的形變表現為基板翹曲,因此,可依據翹曲(曲率半徑)的變化量計算應力。本薄膜應力測量設備用下述方法測量附著表面上的薄膜引起的基板曲率半徑變化量。

設備特點

(1)雙光源掃描(可見光激光源及不可見光激光源),系統可自動選擇匹配之激光源;

(2)系統內置升溫、降溫模擬系統,便于量測不同溫度下薄膜的應力,溫度調節范圍為-65℃至500℃;

(3)自帶常用材料的彈性系數數據庫,并可根據客戶需要添加新型材料相關信息至數據庫,便于新材料研究;

(4)形象的軟件分析功能,用于不同測量記錄之間的比較,且測量記錄可導出成Excel等格式的文檔;

(5)具有薄膜應力3D繪圖功能;

主要規格

型號

FLX-2320-S

FLX-2320-R

FLX-3300-T

FLX-3300-R

溫度

溫度范圍

室溫~50O°C

(可選:-65'C~500'C)

室溫

室溫~50O°C

(可選: -65'C~500'C)

室溫

升溫速度

~25'C/分鐘   (Max.)

------

~25'C/分鐘  (Max.)

------

調節功能

內置調零機構

------

內置調零機構

------

樣品尺寸

75-200mm

75-200mm

300mm

300mm

掃描范圍

200mm

200mm

300mm

300mm

晶圓繪圖

手動

自動

手動

自動

測量重現性

1.3MPa

晶圓輸送方式

手動

脫附氣體

N2或者Ar氣體

(1.5L/分鐘/0.3kg/cm2)

------

N2或者Ar氣體

(1.5L/分鐘/0.3kg/cm2)



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