一、公司介紹

法國IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于離子注入領域的研發、設計制造與服務，并不斷升級和提高在該領域的技術水平。

創始人是來自技術專家，在其帶領下，整個技術團隊對技術更新的熱忱與努力，嚴謹低調的作風保證了設備的高質量和穩定性。產品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客戶要求設計定制的能力。

二、IMC 200離子注入機技術指標

應用：主要用于半導體微電子襯底材料摻雜，晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。

注入晶圓尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不規則小片，最小可注入1cm2的樣品。

注入能量范圍：20-200KeV;可升級到最小3KeV或二價/三價離子，注入能量400/600Kev;

注入角度：0°、7°，可通過手動更換夾具的方式改變注入角度0°-45°

注入劑量范圍：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2

注入均勻性：片間1o<1.0%(注入條件:1000A氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1xE14 at/cm2);

真空度：離子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);

束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);

靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):

離子源真空系統初真空泵為化學干泵，高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵。

注入束流：11B單價離子:>600μA;

31P單價離子:>1500μA;

75As單價離子:>1500μA。

(注入條件:6英寸晶圓，注入能量120KeV-200KeV)。

氣路系統：含5路氣體:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有氣路系統都集成在機器里面能實時監控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術。

軟件功能：包括但不限于:權限管理、參數管理、手動控制、實時數據、數據記錄、報警管理等。軟件可根據需求免費更新升級。

三、PULSION離子注入機技術指標

優勢：3D浸沒式離子注入，不受形狀、大小、表面狀態限制;可靠性高，氣體消耗量低，易于維護，成本低;的脈沖等離子體配置和偏振技術，所需能量低，電流輸入輸出能力高，工藝穩定性高，可以實現保形處理;能夠以較小的占地面積處理大型部件;工藝時間短:工藝時間與待注入的機械部件的大小無關，即使要求的注入量非常高;可按照用戶要求定制;有全自動、工程和手動模式，工程和手動模式下可人為控制單步驟工藝;工藝可編輯，參數可監測、控制和記錄，可查看報警歷史。

原理：把要處理的部件放在真空室中的夾具上，并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時，開始注入。

應用：改善表面機械性能，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;提高表面耐腐蝕、耐化學、耐高溫性能;改變表面理化性能如表面能、粘附性等;

提高生物相容性;逸出功工程;加氫，吸氣;

用于高級存儲器和硅基光電學的納米沉淀和納米結構

加速電壓：1 kV-10kV

標準注入電流：5 mA-100 mA (N2)

標準注入時間：30 min -3 h

可注入選項：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

注入部件尺寸：<400 mmx400 mmx200 mm

輻射：在任意外部屏蔽點10cm處，輻射值<0.6μSv/h1

注入劑量范圍：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2

腔室idle氣壓：<5xE-6 mbar

設備尺寸：1.6x2.15x2.3m(標準型);2.15x2.15x2.3m(加大型)