半導體預清洗機是晶圓制造前道工藝中的關鍵設備，專為去除硅片表面微粒污染、有機物殘留、氧化層及金屬雜質而設計。本設備通過集成濕法化學清洗、兆聲波空化、等離子體活化等多模塊技術，實現納米級潔凈度控制，為光刻、蝕刻、沉積等后續制程提供超凈表面基礎，顯著提升芯片良品率與性能穩定性。

核心技術優勢

復合式清洗模式

兆聲波空化技術（SAP）：采用高頻（>1MHz）聲波場，精準剝離<10nm顆粒，避免機械損傷，適用于敏感結構（如FinFET器件）。

等離子體預處理：通過O?/Ar等離子體轟擊，高效分解光刻膠殘留及有機污染物，表面活化能提升后續清洗液浸潤效果。

化學濕法定制：支持SC-1（H?SO?/H?O?）、SC-2（NH?OH/H?O?）、DHF（稀釋氫氟酸）等配方切換，兼容不同材質（Si、SiC、GaAs）的腐蝕與去氧化需求。

精密流體控制系統

動態液膜分布技術：噴淋臂三維運動軌跡結合渦旋流控算法，實現清洗液均勻覆蓋，消除晶圓邊緣效應。

在線監測與閉環調節：實時監測電導率、pH值及顆粒濃度，AI算法自動調整化學液配比與沖洗時間，降低耗材浪費。

超潔凈干燥工藝

低溫旋干技術：利用Marangoni效應快速揮發水分，結合N?/IPA（異丙醇）雙介質置換，避免水痕與氧化物殘留。

潔凈室級密封設計：腔體采用電解拋光316L不銹鋼，配備HEPA過濾單元（0.1μm截留率），防止二次污染。

智能化與自動化特性

無人值守操作：全自動機械臂完成上料、清洗、干燥及下料，支持24小時連續運行。

數據追溯系統：每片晶圓的清洗參數（溫度、流速、時間）及潔凈度檢測數據自動存檔，符合ISO/SEMI標準。

遠程運維支持：設備狀態實時上傳至云端平臺，支持故障預警與工藝參數遠程優化。

環保與經濟性設計

廢液循環處理：內置三級過濾系統（UF+RO+離子交換），回收率達90%，降低危廢處理成本。

節能模式：待機時自動進入低功耗狀態，化學液加熱采用PID恒溫控制，減少能源消耗。

模塊化適配：可根據產線需求靈活配置單片/批式清洗模塊，兼容2-12英寸晶圓，降低企業設備迭代成本。

應用場景與行業價值

本設備廣泛應用于邏輯芯片、3D NAND閃存、功率半導體及第三代半導體（如GaN、SiC）制造環節，尤其適用于：

光刻前硅片表面有機物去除

蝕刻后聚合物殘留清洗

TSV（硅通孔）工藝中的深槽清潔

封裝中的臨時鍵合劑剝離

通過提升晶圓表面潔凈度至<0.1nm粗糙度與<0.01μm2顆粒密度，可減少50%以上的電參數漂移問題，助力客戶突破5nm以下制程良率瓶頸。