5×5 InGaAs 離散放大光子探測器陣列 (DAPD)
- 公司名稱 上海昊量光電設備有限公司
- 品牌 昊量光電
- 型號
- 產地
- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2025/4/1 9:26:42
- 訪問次數 164
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上海昊量光電設備有限公司
Aunion Tech Co., Ltd
專業源自專注 專注成就未來
自2008年成立以來，昊量光電專注于光電領域的技術服務與產品經銷，致力于引進guo外*先進性與創新性的光電技術與可靠產品，為國內Z前沿的科研與工業領域提供優質的產品與服務，助力中國智造與中國創造! 目前，昊量光電已經與來自美國、歐洲、日本的多家光電產品制造商建立了緊密的合作關系。其代理品牌均處于相關領域的發展前沿，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、精密光學元件等，所涉足的領域涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究與國防等。
昊量光電堅持“專業源自專注，專注成就未來”的經營理念。近年來，我們專注于前沿的細分市場，為量子光學、生物顯微、物聯傳感、精密加工、先進激光制造等領域的客戶提供系統解決方案。
作為一家以技術溝通與技術服務見長的高科技企業，我們所有的銷售與技術服務團隊成員都具有理工科方面的專業背景，并在公司接受相關領域的專業培訓，在售前技術溝通、售后產品安裝培訓、產品問題解決、軟硬件增值服務等方面為客戶提供更加專業化的服務！我們專業高效的商務與物流部門憑借多年積累的貿易經驗與規范化的制度流程，保障每一筆訂貨準時安全到達目的地，免除客戶的后顧之憂！
秉承誠信、高效、創新、共贏的核心價值觀，昊量光電堅持以誠信為基石，憑借高效的運營機制和勇于創新的探索精神為我們的客戶與與合作伙伴不斷創造價值，實現各方共贏！
立足于光電產業，昊量光電始終堅持價值創造與創新，贏得客戶與合作伙伴的認可，不斷拓展業務領域的新邊疆，立志打造的代理服務品牌！
激光器調制器,激光測量加工設備,光學部件,光譜儀,光纖器件,晶體,精密定位系統掃描系統,探測器光子計數器,專用實驗設備,相機
| 供貨周期 | 現貨 | 應用領域 | 綜合 |
|---|
5×5陣列，950~1650nm，具有溫度穩定功能的5×5 InGaAs 離散放大光子探測器陣列 (DAPD)
5×5 InGaAs 離散放大光子探測器陣列 (DAPD)（DAPD：Discrete Amplification photon detector）5×5陣列近紅外探測器，具有溫度穩定功能。DAPD 1550系列5x5近紅外光電探測器可實現近紅外光譜響應，950nm至1650nm、高速自淬火近紅外銦鎵砷探測器5x5 Array，專為3D激光雷達應用而設計。DAPD NIR 5x5 Array探測器利用了突破性離散放大方法，該方法使用多通道放大和單片集成負反饋雪崩機制來放大低電平電信號。離散放大技術具有內部放大功能，可提供非常高的增益（約100,000），這與非常低的過量噪聲系數（低于1.05）和快速響應（上升時間快于0.6ns）相結合。這些特性使NIR陣列式光電探測器DAPD能夠檢測單光子，并優化極弱光水平的檢測。
離散放大InGaAs光子探測器陣列采用KOVAR材料制成的密封包裝，其中包括一個低功率兩級熱電冷卻器（TEC）和一個熱敏電阻。該包裝允許DAPD探測器在寬環境溫度范圍內工作，同時使1550系列5x5探測器芯片陣列保持在-50°C的工作溫度。
近紅外銦鎵砷探測器陣列的主要特點：
5×5陣列近紅外探測器采用In0.47Ga0.53As吸收器設計，可在950nm至1650nm的寬波長范圍內工作
設計用于在各種環境溫度下運行，其中使用低功率兩級熱電冷卻器冷卻陣列溫度
針對0.1ns至20ns激光雷達脈沖檢測的定制設計，具有高達50MHz的高重復頻率
NIR InGaAs光子探測器陣列具有好的的偏置電壓穩定性
每光子約75,000電子的高增益，足夠高以允許50Ω射頻前置放大器；無需進行跨阻抗匹配
低噪聲因子
NIR陣列式光電探測器主要應用：
1550系列5x5近紅外光電探測器系列設計用于激光雷達系統、三維激光雷達成像和環境監測應用。該NIR InGaAs光子探測器陣列針對0.5ns至20ns的激光脈沖長度進行了優化。25個探測器中的每個探測器都分別連接到封裝中的專用引腳，在封裝的四面都有公共陰極連接。能夠連接到25個像素中的任何一個提供了多個級別的靈活性。例如，離散放大InGaAs光子探測器陣列可以連接成四分之一配置或作為單個寬面積探測器。
NIR InGaAs探測器陣列作為50Ω系統的電子放大提供了額外的設計功能靈活性，使用現成的50Ω電子放大。陣列設計為在脈沖檢測模式下以恒定偏置運行，以連續模式運行，進一步降低了電氣系統設計的復雜性，并提供了許多選項來將DAPD探測器陣列系統與模擬到數字采樣系統、幀抓取器等進行集成。
近紅外探測器陣列的規格：
注：下表的數據規格均是在封裝環境溫度為-45°C時得出的
參數 | DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 µm Pitch | 單位 |
有效區域尺寸 | 500 by 500 | µm2 |
有效區域單像素 | 90 by 90 | µm2 |
像素數 | 25 | - |
光子檢測效率@1064nm (PDE)1 | 15 | % |
光譜響應范圍（λ） | 950-1650 | nm |
單光電子增益 (M) | 1x105 | - |
過量噪聲系數 | 1.05 | - |
暗計數率（單像素） | 4 | MHZ |
工作偏置 | 50-70 | V |
上升時間（10%- 90%） | 600 | ps |
單放大通道恢復時間（-35℃時） | 50 | ns |
絕對額定值 | ||
損傷閾值 | 0.5 | nJ |
工作電流（反向偏置） | 50 | μA |
工作電壓 | -(Vop+4)2 | V |
（1）光子檢測效率包括后脈沖。
（2）靈敏度的工作偏置Vop在出廠前測試后提供。
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