BW-IFSM/ITSM浪涌電流測試儀

（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）可加熱

浪涌電流測試系統 BW-ITSM（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）是SIC相關半導體器件測試的重要檢測設備

測試原理：

• 模擬浪涌電流產生：通常利用專門的電路或裝置來模擬電力系統中可能出現的浪涌電流情況。如基于LC振蕩電路原理，通過電容的快速放電和電感的儲能、釋能過程，產生具有特定波形和幅值的浪涌電流。一些系統還會采用晶閘管等功率器件來控制放電過程，精確調整浪涌電流的參數。

• 響應檢測與分析：被測設備在承受浪涌電流時會產生相應的電氣響應，如電壓波動、電流變化、設備工作狀態改變等。測試系統通過電壓傳感器、數據采集設備等記錄這些響應，然后利用數據分析軟件對采集到的數據進行處理和分析，判斷被測設備對浪涌電流的耐受能力、響應特性等。

  
  

測試意義：

• 評估設備可靠性：能檢驗設備在浪涌電流沖擊下是否會出現故障、損壞等問題，確保其在惡劣電力環境下也能穩定工作，為設備的質量和可靠性提供重要依據。比如在電力系統中，通過浪涌電流測試可保證變壓器、開關等設備在雷擊等浪涌情況下的安全運行。

• 具有如下特點：

1）該系統的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。

2）該系統采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。

3）該套測試設備主要由以下幾個單元組成：

a、浪涌測試單元

b、阻斷測試單元

C、自動加熱控溫系統

d、計算機控制系統，參數設定，測試數據記錄，波形保存均有計算機完成，一鍵測試，

4）參考的相關標準：JBT-7624-2013《整流二極管測試方法》GB/T 4023-2015/IEC 60747-2:200

一、技術條件

1、浪涌測試單元IFSM

正弦半波浪涌電流范圍：短路電流50～3000A，分辨率1A,精度＜2%±1，

低檔范圍：50～200A，計算機設定 高檔范圍：100～3000A 計算機設定

b.浪涌電流底寬：0.1ms、1ms、8.3ms、 10ms正弦半波，偏差小于±3%，單選。

c.浪涌電流重復測試間隔（可設定）：2S～300S。

e.浪涌電流下的壓降測試：壓降測試范圍0.01-50V，分辨率0.001V,精度＜2%±0.01

f.正向浪涌波形和導通壓降波形可自動顯示并保存在電腦中。同時可保存波形的數據。

g、方波浪涌：電流寬度100-5000us,可任意調整參數寬度

h、方波電流范圍：寬度：方波100-1000us:對應電流50-1000A

方波5-10mS：對應電流50-500A

方波0.1-1mS：對應電流50-1000A

浪涌電流輸出方式：單次、重復（電流不變，重復測試）、遞增（測試電流按設定步進自動增加，到目標或失效停止）

加熱自動控溫系統，含兩套，模塊為底板加熱控溫，分立器件為手動小型加熱控溫。控溫范圍：25-180℃，控溫誤差小于2%，設定溫度手動設定。

2、阻斷測試(用于判斷浪涌電流后器件是否失效)

a.正反向電壓測試范圍：50V～500V可調 ，分辨率1V,精度＜2%±1。

設定漏電流上限保護，再測試電壓；如測試漏電流大于設定值停止加高壓。判斷為導通失效。

b.反向電壓輸出方式：DC直流，正反向輸c.漏電流：0.001～10mA，分辨率0.001mA,精度滿量程的±5%

e.測試過程：計算機設定，過程一鍵自動測試；自動完成判斷是否浪涌失效，并自動保存測試數據

g,適合封裝：各類二極管，MOS、IGBT等，封裝為TO直插或模塊等，兩種接口：1000A以下的直插接口，及模塊接口（機柜側面），所有接口均手動接入器件。

3、MOS器件正向導通、反向（體二極管）測試

正向導通測試：柵極電壓：5-25V可設定， 判斷阻斷電壓給正向電壓反向導通測試：柵極電壓：-10-0V可設定，判斷阻斷電壓給反向電壓。

參數設定主要是設定圖11所示的幾個關鍵參數，包括反向保護電壓、保護電流（設定漏電流上限）、脈沖間隔時間（重復測試時間）、脈沖次數（重復次數）等。設定時需注意，有關參數不能超過系統設定范圍，比如脈沖次數為1-20次，如輸入30，則系統默認為20。

電流寬度：選10uS或10mS

電流方式：方波或正弦波

電流換擋：低檔（50-200A）,高擋（100-3000A），方波50-1000A

浪涌電流模式：單次、重復或遞增

遞增測試：設定高檔電流，再設起始電流，遞進電流時增加量遞增電流

如：高檔電流設定100A,起始電流70A，遞增5A,點擊運行，測試最終停止與100A

脈沖次數即重復次數

其他二極管浪涌測試：

可用于各類二管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗，包括三管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內置二管的浪涌測試。** **二管元件在實際使用中，除了能長期通過額定通態平均電流外，還應能承受一定倍數的浪涌過載電流而不致損壞，以便適應在各種應用中的要求。二管浪涌過載電流如果超過其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態峰值電壓的變化） **

技術指標：

浪涌電流（IFSM/ITSM）調節范圍：0.30～3.60kA

分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA

電流波形：正弦半波，底寬10ms

測試頻率：單次

反向電壓（VRRM）調節范圍：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％

反向電壓測試頻率：50Hz；

反漏電流（IRRM）測試范圍；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA

工作方式：

由觸摸液晶屏設定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護值

上述設備配置輸出及測試線,但不含測試用“夾具”。該“夾具”用于滿足元件按照標準進行測試時所要求的溫度和壓力測試條件。