鵬城半導體技術（深圳）有限公司(簡稱：鵬城半導體），由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿與市場前沿的交叉點，尋求創新yin/ling與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。
公司核心業務是微納技術與gao duan精密制造，具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發設計和生產制造。
公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。
公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備*的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力。
半導體材料,工藝和裝備的研發設計,生產制造
生產型TGV/TSV/TMV高真空磁控濺射鍍膜機（Sputter-2000W系列）該設備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結構，Au/TiW傳輸導線雙體系膜層淀積能力，為微系統集成密度提升提供支撐。
本設備優點：膜層均勻性及重復性高，膜層附著力強，設備依據工藝配方進行可編程自動化控制。
設備結構及性能參數
-單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室
-臥式結構、立式結構
-線列式、團簇式
-樣品傳遞：直線式、圓周式
-磁控濺射靶數量及類型：多支矩形磁控靶
-磁控濺射靶：直流、射頻、中頻、高能脈沖兼容
-基片可加熱、可升降、可加偏壓
-通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜
-操作方式：手動、半自動、全自動
-基片托架：根據基片尺寸配置
-基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客戶zhi/ding尺寸
-進/出樣室極限真空度：≤8X10-5Pa
-進/出樣室工作背景真空度：≤2X10-3Pa
-鍍膜室的極限真空度：5X10-5Pa,
工作背景真空度：8X10-4Pa
-膜層均勻性：<5%（片內），<5%（片間）
-設備總體漏放率：關機12小時真空度≤10Pa
工作條件
類型 | 參數 | 備注 |
| 供電 | ～380V | 三相五線制 |
| 功率 | 根據設備規模配置 | |
| 冷卻水循環 | 根據設備規模配置 | |
| 水壓 | 1.0～1.5×105Pa | |
| 制冷量 | 根據散熱量配置 | |
| 水溫 | 18～25℃ | |
| 氣動部件供氣壓力 | 0.5MPa～0.7MPa | |
| 質量流量控制器供氣壓力 | 0.05MPa～0.2MPa | |
| 工作環境溫度 | 10℃～40℃ | |
| 工作環境濕度 | ≤50% |
1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7
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