濕法刻蝕機臺是一種在半導體制造和微電子領域用于進行濕法刻蝕工藝的關鍵設備，通過將晶圓或材料浸泡在腐蝕液中，利用化學反應去除材料表面的特定區域。其核心組件包括處理槽、承載裝置、噴藥液裝置及控制系統等。通過旋轉軸帶動晶圓旋轉，結合導流噴口使刻蝕液自轉，提高刻蝕均勻性。該設備廣泛應用于晶體管、電容器、傳感器等微細結構的制造中，具有高選擇比、對下層材料無等離子體損傷等優點。

主要結構

處理槽：用于容納刻蝕液，通常由耐腐蝕材料制成，如不銹鋼、石英或聚四氟乙烯等。

承載裝置：用于固定待刻蝕的晶圓或其他材料，確保其在刻蝕過程中保持穩定。

噴藥液裝置：向處理槽內噴入刻蝕液，有時還包括導流噴口以控制刻蝕液的流動方向和速度。

控制系統：用于控制刻蝕過程的溫度、時間、刻蝕液濃度等參數，以確保刻蝕效果的一致性和可重復性。

工作原理

將待刻蝕的晶圓或其他材料固定在承載裝置上，然后放入處理槽中。

通過噴藥液裝置向處理槽內噴入刻蝕液，刻蝕液與待刻蝕材料發生化學反應，逐漸去除材料表面的部分區域。

控制系統根據預設的參數監控和調節刻蝕過程，以確保刻蝕效果符合要求。

應用領域

半導體制造：在半導體器件制造過程中，濕法刻蝕用于形成各種微細結構，如晶體管、電容器、電阻器等。

微電子機械系統（MEMS）：在MEMS制造中，濕法刻蝕用于形成復雜的三維結構，如傳感器、執行器等。

光電子學：在光電子器件制造中，濕法刻蝕可用于形成光學元件和波導結構。