即少數載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導體中產生直到消失的時間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數載流子（因為只有少數載流子才能注入到半導體內部、并積累起來，多數載流子即使注入進去后也就通過庫侖作用而很快地消失了），所以非平衡載流子壽命也就是指非平衡少數載流子壽命，即少數載流子壽命。半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導體材料中某種載流子占少數，導電中起到次要作用，則稱它為少子。如：在N型半導體中，空穴是少數載流子，電子是多數載流子；在P型半導體中，空穴是多數載流子，電子是少數載流子。
多子和少子的形成:五價元素的原子有五個價電子，當它頂替晶格中的四價硅原子時，每個五價元素原子中的四個價電子與周圍四個硅原子以共價鍵形式相結合，而余下的一個就不受共價鍵束縛，它在室溫時所獲得的熱能足以使它掙脫原子核的吸引而變成自由電子。出于該電子不是共價鍵中的價電子，因而不會同時產生空穴。而對于每個三價元素原子，盡管它釋放出一個自由電子后變成帶一個電子電荷量的正離子，但它束縛在晶格中，不能象載流子那樣起導電作用。這樣，與本征激發濃度相比，N型半導體中自由電子濃度大大增加了，而空穴因與自由電子相遇而復合的機會增大，其濃度反而更小了。
少子濃度主要由本征激發決定，所以受溫度影響較大。
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