日本ULVAC愛發科半導體濺射設備單晶圓復合
日本ULVAC愛發科半導體濺射設備單晶圓復合
單晶圓復合模塊式
成膜設備uGmni-200, 300
通過在同一個傳輸核心上安裝濺射和蝕刻等多種不同工藝模塊并盡可能使用通用組件，我們通過減少備件數量并通過相同操作提高可用性，實現了電子元件制造過程的更高效率我們將意識到這一點。
特征
多個處理室可組合用于濺射、蝕刻、灰化、CVD 等。
*根據工藝的不同，可能無法組合，請咨詢我們。
所有處理室均由 ULVAC 制造
兼容最大Φ300mm的基材
用途
下面是一個例子。
功率器件晶種和金屬層形成濺射
MEMS 傳感器 PZT 成膜及加工蝕刻
光學器件VCSEL加工蝕刻
高密度安裝除渣灰化
通信設備 絕緣膜沉積及加工 PE-CVD
規格
*這是每個工藝室的示例。
我們可以向您咨詢，不限于以下內容。以下值因規格而異。
| 到達圧力 | 階段 溫度 | 面內分布 （參考值） | 成膜、加工或應用實例 | 等離子源 | |
| 濺 | 6.7E-5Pa以下 | 冷卻（冷卻性能單獨討論）~700度 | ±1～5% | 金屬、介電膜、絕緣膜 | 直流 |
| 脈沖直流 | |||||
| 射頻 | |||||
| 蝕刻機 | 1.0E-3Pa以下 | -20~200度 | ±5%以下 | 金屬、介電膜、絕緣膜、Si系 | 中國共產黨 |
| ISM （感應超級磁控管） | |||||
| NLD （中性環路放電） | |||||
| 引座員 | 0.7Pa以下 | 50-250度 | ±5％ | 除浮渣、除膠渣、犧牲層去除、表面改性、PR去除、PI處理 | 微波 |
| 20-80度 | 微波+CCP | ||||
| 化學氣相沉積 | 2Pa以下 | 60-400度 | ±1%以下 | 絕緣膜（SiNx、SiOx） | 陽極耦合 |
| 雙頻 |
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