少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

產品特點

用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產和質量監控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

詳細介紹

產品介紹：

MDPpro 850+

用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產和質量監控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

特點 ：        

◇ 壽命范圍：20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）   

◇  SEMI標準：PV9-1110        

◇  測試速度：線掃描 < 30 s；完整的面掃秒 < 5 min        

◇  同時測量：壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率

◇  自動幾何形狀識別： G12、M10晶磚和晶圓片        

直拉硅單晶硅錠中的滑移線

應用 :   

◇  壽命 & 電阻率面掃描        

◇  晶體生長監控（即滑移線）        

◇  污染監測

◇  氧條紋/OSF環       

◇  P 型摻雜硅的鐵面掃描圖

◇  發射極層的方阻        

◇  更多…

含有大量缺陷的準單晶硅錠的壽命測量

技術規格 :   

MDP studio -  操作和評估軟件 ：

用戶友好且優良的操作軟件具有：

◇  導入和導出功能

◇  帶有操作員的用戶結構

◇  所有執行的測量概覽

◇  樣品參數輸出

◇  單點測量（例如：注入濃度相關的測量）

◇  面掃描

◇  測試配方

◇  分析功能包

◇  線掃描和單點瞬態視圖

遠程訪問基于IP的系統允許在世界任何地方進行遠程操作和技術支持

配置選項：

◇  光斑尺寸變化

◇  電阻率測量（晶磚和晶圓片）

◇  背景/偏置光

◇  反射測量（MDP）

◇  LBIC

◇  P型摻雜硅中的鐵圖譜

◇  p/n檢測

◇  條碼讀取器

◇  自動幾何識別

◇  寬的激光器波長范圍

多晶硅晶圓線掃描

HJT晶圓的壽命測量

MDPpro850+  應用 ：        

鐵濃度測定

鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的

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陷阱濃度測定

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注入相關測量

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