晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純度硅材料，在電子工業中被廣泛應用。晶錠是一種長條狀的半導體材料，通常采用Czochralski法或發明家貝爾曼的Float-Zone法制備，直徑通常為200mm或300mm。方阻，全稱是方塊電阻（Sheet Resistance），指薄膜單位面積上的電阻，等于電阻率除以厚度，單位為Ω/□。方塊電阻有一個特性，即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的，不管邊長是1m還是1mm，它們的方阻都是一樣。

對于硅材料，什么時候用電阻率，什么時候用方阻呢？

對硅晶圓或絕緣體上硅（SOI），規格書上通常用電阻率表征其基本電學參數。硅片一般分為高阻硅和低阻硅，高阻硅中的雜質濃度非常低，通常在10¹²cm^-3以下，這使得高阻硅片的電阻率非常高，在10³-10⁶Ω·cm之間。相對于低阻硅，高阻硅的制造工藝極為難，電阻越高要求的硅的純度越高，很多標稱的高阻硅經過退火，電阻率都有一定程度的衰減。

方阻這個概念，主要是針對薄膜提出來的，它的提出使MEMS器件電學設計更為簡便。它好比一個正方形方塊積木，我們知道了方阻值，只要數出它的方塊數（電阻的長除以寬），就很容易計算出總電阻。所以，方塊和方阻的引入，極大了方便了設計和制造人員之間的溝通。對于多晶硅或者注入單晶硅，我們甚至不需要知道注入深度（結深），只需要測定方阻值，即可輕易完成電路部分的設計。

晶錠非接觸方阻測試儀技術參數