C-33型 4英寸 國產高精度對準光刻機

主要用途  主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。

 由于本機找平機構先進，找平力小、使本機適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片等的曝光。

（1） 這是一臺雙面對準單面曝光的光刻機；

（2） 這臺機器又能完成普通光刻機的任何工作；

（3） 同時又是一臺檢查雙面對準精度的檢查儀。

C-33型 4英寸 國產高精度對準光刻機主要性能指標

（1） 高均勻性LED曝光頭。

 光強≤20mw；曝光面積：100mm×100mm

 曝光不均勻性≤3%

 曝光強度≥30mW/cm2可調

 紫外光束角≤3°

 紫外光中心波長365nm、404nm、435nm可選

 紫外光源壽命：≥2萬小時

 電子快門精準控制

 對準精度1微米、曝光精度1微米、套刻精度1微米

（2） 觀察系統為上下各兩個單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通過視屏線連接計算機到液晶顯視屏上。

a、 單筒顯微鏡為0.7X～4.5X連續變倍顯微鏡；

b、 CCD攝像機靶面對角線尺寸為：1/3″,6mm；

c、 采用19″液晶監視器，其數字放大倍率為19÷1/3=57倍；

d、 觀察系統放大倍數為：0.7×57≈40倍（最小倍數）

   4.5×57≈256(最大倍數）或(91倍～570倍）

e、 右表板上有一視屏轉換開關：向左為下二個CCD，向右為上二個CCD。

（3） 計算機硬軟件系統：

a、鼠標單擊“開始對準”，能將監視屏上的圖形記憶下來，并處理成透明的，以便對新進入的圖形進行對準；

b、鼠標雙擊左面或右面圖形，就分別全屏顯示左或右面圖形。

（4） 非常特殊的板架裝置：

a、該裝置能分別裝入152×152板架，對版進行真空吸附；

b、該裝置安裝在機座上，能圍繞A點作翻轉運動，相對于承片臺而言作上下翻轉運動，以便于上下版和上下片；

c、該裝置來回反復翻轉，回到承片臺上平面的位置，重復精度為≤±1.5µ；

d、該裝置具有補償基片楔形誤差之功能，保證版下平面與片上平面之良好接觸，以便提高曝光質量。

（5） 承片臺調整裝置：

a、 配備有Φ75、Φ100承片臺各一個，這二種承片臺有二個長方孔，下面二個CCD通過該孔能觀察到版或片的下平面；

b、 承片臺能作X、Y、Z、θ運動，X、Y、Z可作±5mm運動，θ運動為±5°；

c、 承片臺密著環相對于版，能實現“真空密著”：

真空密著力≤-0.05Mpa為硬接觸；

真空密著力≤-0.05Mpa～-0.02Mpa為軟接觸；

          真空密著力≤-0.02Mpa為微力接觸；