二手蔡司場發射電鏡SEM+EDX SUPRA25  SUPRA™系列的多種儀器提供了全面的成像解決方案，可滿足半導體、材料分析、藥品制造和生命科學等領域中苛刻的應用要求。對于不導電樣品，采用可變壓力（VP）技術的增強型可變壓力二次電子探測器（VPSE）可以得到的圖像和分析結果。GEMINI®鏡筒具有成像能力，尤其是在工作電壓低于1kV時成像能力尤為出色，這就使得SUPRA™成為適合所有納米科學應用的成像工具。

主要特點：
? 在整個電壓范圍內的超高分辨率，
? 電壓范圍至0.1 kV，所需調整極少,
? 高束流，高穩定性，
? 高效In-lens二次電子檢測器，可實現高分辨率的表面成像，
? 增強型VPSE探測器，可實現不導電試樣的成像
? 基于Windows® XP的SmartSEM™控制軟件，操作簡便

     這是由于在掃描電鏡中，當電子束源源不斷的轟擊到樣品上時，入射電子的電流等于二次電子電流、背散射電子電流、樣品接地電流和荷電電流的總和。對于導電性能好的樣品，入射電子束產生的荷電電荷通過接地導走，不存在表面荷電現象。而對于導電性能不佳的樣品，其接地電流幾乎為零。當樣品表面產生的二次電子和背散射電子的總和小于入射電子數時，樣品表面呈負電位，在負電場的作用下使電子獲得加速，更多的電子被探測器接收到，二次電子圖像發亮;當樣品表面產生的二次電子和背散射電子的總和多于入射電子數時，樣品表面呈正電位，正電場將電子吸引回樣品內，使探測器中接收到的電子數量減少，二次電子圖像呈現局部發黑的現象。如圖1a所示，用場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)拍攝不導電的碳纖維形貌，采用10kV的加速電壓，樣品出現了非常嚴重的荷電現象，圖像同時表現出局部發亮和發黑的情況。 

 二手蔡司場發射電鏡SEM+EDX SUPRA25   應用范圍

      目前最常見的減輕荷電現象的方法是通過離子濺射或蒸鍍的方法，在樣品表面沉積或鍍上一層比較均勻、細膩的金屬層，從而增加樣品的導電性。但該方法仍然不能有效解決樣品出現荷電現象的問題，還可能掩蓋樣品的真實結構。場發射掃描電鏡具有良好的發射電流穩定度和優異的低壓圖像質量。一般加速電壓范圍在1kV～30kV分檔或連續可調。加速電壓的高低決定了入射電子束能量的高低，從而影響了入射電子的擴展范圍。使用低加速電壓，由于其電子束能量低、作用范圍小，激發出的二次電子能量少，不僅可以減少對樣品的損傷，還能有效的減少樣品表面荷電現象，更適合觀測不導電樣品。

以上述的碳纖維為例，將加速電壓降至5kV，荷電現象明顯減輕(圖1b)，進一步將加速電壓降至2kV，基本消除了荷電現象(圖1c)。同時，使用低加速電壓時，入射電子與樣品的作用深度較淺，激發出的二次電子主要來源于樣品入射區極表層，更有利于觀察樣品的淺表面結構，對樣品的損傷也較小。