極其強大的優良研究工具

設計用于適應特定的薄膜應用，如 GMR、CMS、半導體、納米級器件、光子學和光伏

系統設計可以配置為真正的超高真空性能

經過現場測試和驗證的設計

真空室

• 適應性強的腔室、底板和基板選項

• 18“ D x 15” H 不銹鋼工藝室

基板處理

• 旋轉基板，適用于最大 150 毫米（6 英寸）基板

• 使用石英燈加熱器將基板加熱至800°C

• 單晶圓或多晶圓負載鎖定，帶手動或計算機控制的樣品轉移

• 高精度PID溫度控制回路（配備基板加熱時）

泵送和測量

• 1500 l/s 低溫泵

• 寬量程真空計，atm 至 1x10-10托

• 高精度閉環壓力控制（濺射應用的上游和下游）

沉積源

• 氣動源和基板百葉窗

• 可配置六個或更多磁控沉積源

• 交叉污染屏蔽（如適用）

質量與安全

• 計算機控制，手動或全自動操作

• 提供 CE 標志、UL 列表、CSA、NRTL 和其他行業認可的測試認證

• 擠壓鋁框架，帶外殼板

• 單業務分接配電模塊

基板處理

• 旋轉基板，適用于最大 200 毫米（8 英寸）基板

• 用于樣品清潔的基質偏置（通常是射頻等離子體，用于去除天然氧化層）

• 沉積過程中的襯底偏置會影響薄膜微觀結構的特征（如晶體取向），提高薄膜致密化，促進薄膜粘附力，并促進提高共濺射合金薄膜的薄膜均勻性

• 使用元件式加熱器將基板加熱至1100°C

• 基板冷卻（液體和/或 LN2）

• 用于涂覆基材兩側的樣品翻轉夾具

• 薄膜成型工具（刀片安裝在高精度計算機控制臂上）

• 基板上的可轉位磁場

• 原位薄膜分析（光學過程監測儀、RHEED 或光譜橢偏儀）