1.  產品概述：

高真空等離子體增強化學氣相薄膜沉積（PECVD）系統是一種先進的材料制備技術，廣泛應用于物理學、化學、材料科學等多個領域。該系統通過在高真空環境下利用射頻、微波等能量源將反應氣體激發成等離子體狀態，進而在基片表面發生化學反應，沉積出所需的薄膜材料。這種技術具有沉積溫度低、沉積速率快、薄膜質量高等優點，能夠制備出多種功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。

2 設備用途/原理：

1. 半導體工業：用于制備集成電路中的鈍化層、介電層等關鍵薄膜，提高器件的可靠性和性能。

2. 光伏產業：在太陽能電池制造中，PECVD系統被廣泛應用于制備透明導電氧化物（TCO）薄膜、減反射膜等，以提高光電轉換效率。

3. 平板顯示：在液晶顯示器（LCD）和有機發光二極管（OLED）等平板顯示器件的制造中，PECVD系統用于制備薄膜晶體管（TFT）的柵極絕緣層、鈍化層等關鍵薄膜。

4. 微電子與納米技術：在微納電子器件、納米傳感器等領域，PECVD系統能夠制備出具有優異性能的薄膜材料，如抗腐蝕層、絕緣層等。

3. 設備特點

1  高真空環境：PECVD系統通常配備有高真空泵組，以確保反應室內的真空度達到較高水平，從而減少雜質對薄膜質量的影響。

2  等離子體增強：通過射頻或微波等能量源將反應氣體激發成等離子體，使氣體分子高度活化，降低反應溫度，提高沉積速率和薄膜質量。

3  精確控制：系統配備有精密的控制系統，可以對反應氣體的流量、壓力、溫度以及射頻功率等參數進行精確控制，從而實現對薄膜厚度、成分和結構的精確調控。

4  多功能性：PECVD系統具有廣泛的應用范圍，可以制備出多種不同成分和結構的薄膜材料，滿足不同領域的需求。

真空室結構:1個中央傳輸室：蝶形結構；3個沉積室：方形結構； 1個進樣室：方形結構

真空室尺寸:中央傳輸室：Φ1000×280mm ； 沉積室：260×260×280mm ；進樣室：300×300×300mm

限真空度:中央傳輸室：6.67E-4 Pa；沉積室：6.67E-6 Pa ；進樣室：6.67 Pa沉積源:設計待定

樣品尺寸，溫度:114X114X3mm， 加熱溫度350度，機械手傳遞樣品

占地面積（長x寬x高）:約13米x9米x2.3米（設計待定）

電控描述:全自動控制

工藝:在80X80mm范圍內硅膜的厚度均勻性優于±5%

特色參數:共有8路工作氣體