Plasmalab 133 牛津儀器 RIE 半導體刻蝕機
具體成交價以合同協(xié)議為準
- 公司名稱 艾博納微納米科技（江蘇）有限責任公司
- 品牌 ABNER/艾博納
- 型號 Plasmalab 133
- 產(chǎn)地 江蘇省淮安市清江浦區(qū)清浦工業(yè)園枚皋路7號
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/1/16 16:59:15
- 訪問次數(shù) 498
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牛津儀器 RIE 半導體刻蝕機 Plasmalab 133。刻蝕是半導體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導體器件的整個制造過程中，刻蝕步驟多達上百個，是半導體制造中常見的工藝之一。本設(shè)備支持的晶圓尺寸最大為300mm（330mm基臺）RIE設(shè)置為GaN刻蝕射頻功率：600W，13.56MHz水冷電極：10C-80C終點檢測：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）帶8條氣體管線的氣體艙，包括以下7個質(zhì)量流量控制器（MFCs）：Ar：100sccmCl2：100sccmBCl3：100sccmN2O：200sccmCHF3：200sccmNH3：100sccmCH4：50sccm
射頻功率：600W，13.56MHz
水冷電極：10C-80C
終點檢測：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）
帶8條氣體管線的氣體艙，包括以下7個質(zhì)量流量控制器（MFCs）：
Ar：100sccm
Cl2：100sccm
BCl3：100sccm
N2O：200sccm
CHF3：200sccm
NH3：100sccm
CH4：50sccm
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