1. 產品概述

RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設備，可處理多達?350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理。該系統為各種蝕刻應用提供了堅固可靠的硬件和的工藝控制，具有較高的生產率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、電容器和射頻濾波器。

2. 設備用途/原理

GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蝕刻，SiN和SiO2的蝕刻，電介質和金屬的蝕刻，用于HBLED的PSS（圖案化藍寶石襯底）加工。

3. 設備特點

大加工范圍：?350 mm (?3" x 12, ?4" x 8, ?12" x 1)。先進的ICP源HSTC™（Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均勻的高密度等離子體，并在大面積上具有優異的蝕刻均勻性。對稱的疏散設計與TMP相結合，形成了高效的流動。優化的氣體歧管，提供工藝氣體的均勻性。可選的光學/干涉式端點檢測系統可實現對多個工藝運行的精確蝕刻深度控制。