1. 產品概述

高密度等離子體蝕刻系統采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統配備了真空盒室，是一套完整的生產系統，具有優良的工藝重復性和穩定性。

2. 設備用途/原理

GaN、GaAs、InP等化合物半導體的高精度加工。SiC、SiO?的高速加工。蝕刻鐵電材料（PZT、BST、SBT、SBT）、電材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他難以蝕刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

3. 設備特點

新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效穩定地應用高射頻功率（2千瓦以上），并實現良好的均勻性。大流量排氣系統，排氣系統直接連接到反應室，可以實現從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。下電升降機構，晶片和等離子體之間的距離經過優化，以確保良好的平面內均勻性。易于維護的設計，TMP(渦輪分子泵)集成在設備中，便于更換。