1. 產(chǎn)品概述

THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐，優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng)。

2. 設(shè)備用途/原理

THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐，優(yōu)良的壓力控制系統(tǒng)，高精度溫度場(chǎng)控制技術(shù)，優(yōu)良的顆粒控制技術(shù)，可靠的氫氣工藝能力技術(shù)，高產(chǎn)能。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸 12 英寸，適用材料硅。適用工藝 低壓合金、金屬 / 非金屬退火、薄片退火。適用域  新興應(yīng)用、集成電路、優(yōu)良封裝。退火爐是在半導(dǎo)體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理是針對(duì)不同的效果而設(shè)計(jì)的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態(tài)，修復(fù)注入的損傷，移動(dòng)摻雜劑或?qū)诫s劑從一個(gè)薄膜轉(zhuǎn)移到另一個(gè)薄膜或從薄膜進(jìn)入晶圓襯底。

退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導(dǎo)體晶片而設(shè)計(jì)的設(shè)備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，超節(jié)能結(jié)構(gòu)，采用纖維結(jié)構(gòu)，節(jié)電60%。