1. 產品概述

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統，多區紅外加熱協同激光微區補償，溫場均勻可控。

2. 設備用途/原理

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統，多區紅外加熱協同激光微區補償，溫場均勻可控，高精度溫控系統設計，工藝穩定性及重復性可控優良，主、輔助、交叉氣路配合氣流場設計及優良的壓力控制系統，氣流場均勻可控，高效傳輸Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統，多區紅外加熱協同激光微區補償，溫場均勻可控 算法，腔室利用率 >99.8%。

3. 設備特點

晶圓尺寸 12 英寸，適用材料 硅，適用工藝 鍺硅、磷硅、硅選擇性減壓外延，適用域 科研、集成電路。百科：?減壓外延?是一種在低于一個大氣壓下進行化學氣相外延的方法，主要用于硅外延。其特點包括：?自摻雜效應減少?：減壓外延可以減少自摻雜效應，提高外延層的純度。?過渡層厚度縮小?：此方法有助于縮小過渡層的厚度，提高外延層的質量。?外延層均勻性改善?：能夠改善外延層的厚度與電阻率的均勻性，提高材料的性能一致性。?埋層圖形漂移減輕或排除?：可以減輕或排除埋層圖形的漂移，保持材料的穩定性。?使用要求?：根據襯底與外延層的摻類與濃度、器件的要求，使用的壓力一般在(1.3?26)×10?7Pa(1.3?26)×10 ?7 Pa范圍內。這要求設備具有較高的技術規格，包括高頻或輻射加熱、氣路系統及相應的自動化系統以保持相應的壓力，以及需要更大的排氣量的真空系統。?應用領域?：減壓外延已用于超大規模集成電路用外延片的生產，以及選擇外延等特殊工藝，顯示了其在微電子領域的重要應用價值。減壓外延系統的這些特點使其成為制備高質量半導體材料的重要技術之一，特別是在需要高純度、高性能材料的優良電子器件制造中發揮著關鍵作用?。