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WINETCH CCP等離子刻蝕機(jī)

參考價(jià) 88000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 上海沛沅儀器設(shè)備有限公司
  • 品牌 PLUTOVAC
  • 型號(hào) WINETCH
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/12/16 14:05:40
  • 訪問(wèn)次數(shù) 1131

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上海沛沅儀器是一家集等離子體技術(shù)設(shè)計(jì)、制造、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、銷售與服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè),公司致力于提供專業(yè)的等離子表面處理系統(tǒng),比如等離子清洗機(jī),等離子去膠機(jī),等離子刻蝕機(jī),實(shí)驗(yàn)室等離子處理機(jī)等,向用戶提供國(guó)內(nèi)等離子表面處理設(shè)備和優(yōu)質(zhì)專業(yè)的服務(wù)。

公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)67%以上具備碩士或碩士以上學(xué)位,公司由長(zhǎng)期從事等離子體應(yīng)用技術(shù)研究開(kāi)發(fā)、多次參與國(guó)家重大科學(xué)工程研究的專家和產(chǎn)業(yè)化專家聯(lián)合創(chuàng)建,提供一系列等離子體表面處理系統(tǒng)、等離子體刻蝕系統(tǒng)、常壓等離子清洗設(shè)備等,并與中科院上海應(yīng)用物理研究所,復(fù)旦大學(xué),中國(guó)科技大學(xué),上海科技大學(xué),上海交通大學(xué)等建立了密切的技術(shù)合作交流關(guān)系。

 

公司的愿景是成為等離子體應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)企業(yè),用科研的沉淀和應(yīng)用的創(chuàng)新,為中國(guó)的制造業(yè)崛起和化戰(zhàn)略貢獻(xiàn)一份力量。

 

 

 

 

等離子清洗機(jī),真空等離子清洗機(jī),等離子去膠機(jī),等離子表面處理機(jī),等離子刻蝕機(jī),實(shí)驗(yàn)室等離子清洗機(jī),小型等離子清洗機(jī),大氣等離子清洗機(jī),等離子鍍膜機(jī)

顏色 白色 類別 CCP刻蝕
電源 220V
  等離子刻蝕機(jī)(Plasma Etcher)是一種常用于微納米加工領(lǐng)域的設(shè)備,用于對(duì)半導(dǎo)體器件、光學(xué)元件、生物芯片等材料進(jìn)行精細(xì)加工和圖案定義。其原理基于等離子體技術(shù),通過(guò)將氣體放電產(chǎn)生等離子體,利用等離子體中的離子和自由基對(duì)材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理刻蝕。工作原理:
 
  1.將氣體(如氟化氣體)引入反應(yīng)室,通過(guò)射頻(RF)功率源或微波源等方式對(duì)氣體進(jìn)行放電。放電過(guò)程中產(chǎn)生的電場(chǎng)和能量激發(fā)氣體分子,形成等離子體。
 
  2.氣體分子被激發(fā)成離子、電子和自由基等活性物種。這些活性物種對(duì)材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),如氟化、氧化、硅化等,從而改變表面化學(xué)性質(zhì)。
 
  3.離子和自由基對(duì)材料表面施加能量,導(dǎo)致材料表面原子或分子的脫除。這種物理刻蝕過(guò)程使材料表面逐漸被剝離,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精細(xì)加工和圖案定義。
 
  4.通過(guò)控制氣體種類、放電功率、反應(yīng)室壓力等參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同材料的選擇性刻蝕。例如,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅、氮化硅、氧化硅等材料的選擇性刻蝕。
 
  5.通常還配備真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、氣體流控制系統(tǒng)等輔助功能,以確保刻蝕過(guò)程的穩(wěn)定性和可控性。
等離子刻蝕機(jī)
 
  CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計(jì)的高性價(jià)比CCP等離子體系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng),它通過(guò)優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案,獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小,業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全,且工藝穩(wěn)定重復(fù)性佳。
 
  CCP刻蝕是一種常用的微納加工技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)器件制造,生物芯片制造等域。其原理是利用高頻交變電場(chǎng)產(chǎn)生等離子體,在等離子體的作用下將材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理碰撞,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的刻蝕。
 
  CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH刻蝕系統(tǒng)通過(guò)電容耦合(CCP)方式產(chǎn)生高密度等離子體,按掩膜(例如光刻膠掩膜)圖形、實(shí)現(xiàn)對(duì)介質(zhì)材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的選擇性刻蝕。
 
  CCP系統(tǒng)主要由以下幾部分組成:反應(yīng)腔室、下電 、噴淋頭(上電)、射頻電源、真空系統(tǒng)、預(yù)真空室、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)與軟件、配套附件等。
 
  WINETCH等離子刻蝕機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn):
 
  -刻蝕形貌好、工藝性能*
 
  -高選擇比、高刻蝕速率
 
  -低擁有成本和消耗成本
 
正文圖片.png
  WINETCH等離子刻蝕機(jī)技術(shù)參數(shù):
 
  晶圓尺寸:6/8寸兼容
 
  適用工藝:等離子體刻蝕
 
  適用材料:SiO2,Si3N4,etc.適用域:化合物半導(dǎo)體、MEMS、功率器件、科研等域

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