WINETCH CCP等離子刻蝕機(jī)
參考價(jià) | ¥ 88000 |
訂貨量 | ≥1件 |
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 上海沛沅儀器設(shè)備有限公司
- 品牌 PLUTOVAC
- 型號(hào) WINETCH
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/12/16 14:05:40
- 訪問(wèn)次數(shù) 1131
產(chǎn)品標(biāo)簽
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顏色 | 白色 | 類別 | CCP刻蝕 |
---|---|---|---|
電源 | 220V |
等離子刻蝕機(jī)(Plasma Etcher)是一種常用于微納米加工領(lǐng)域的設(shè)備,用于對(duì)半導(dǎo)體器件、光學(xué)元件、生物芯片等材料進(jìn)行精細(xì)加工和圖案定義。其原理基于等離子體技術(shù),通過(guò)將氣體放電產(chǎn)生等離子體,利用等離子體中的離子和自由基對(duì)材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理刻蝕。工作原理:
1.將氣體(如氟化氣體)引入反應(yīng)室,通過(guò)射頻(RF)功率源或微波源等方式對(duì)氣體進(jìn)行放電。放電過(guò)程中產(chǎn)生的電場(chǎng)和能量激發(fā)氣體分子,形成等離子體。
2.氣體分子被激發(fā)成離子、電子和自由基等活性物種。這些活性物種對(duì)材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),如氟化、氧化、硅化等,從而改變表面化學(xué)性質(zhì)。
3.離子和自由基對(duì)材料表面施加能量,導(dǎo)致材料表面原子或分子的脫除。這種物理刻蝕過(guò)程使材料表面逐漸被剝離,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精細(xì)加工和圖案定義。
4.通過(guò)控制氣體種類、放電功率、反應(yīng)室壓力等參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同材料的選擇性刻蝕。例如,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅、氮化硅、氧化硅等材料的選擇性刻蝕。
5.通常還配備真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、氣體流控制系統(tǒng)等輔助功能,以確保刻蝕過(guò)程的穩(wěn)定性和可控性。
CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計(jì)的高性價(jià)比CCP等離子體系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng),它通過(guò)優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案,獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小,業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全,且工藝穩(wěn)定重復(fù)性佳。
CCP刻蝕是一種常用的微納加工技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)器件制造,生物芯片制造等域。其原理是利用高頻交變電場(chǎng)產(chǎn)生等離子體,在等離子體的作用下將材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理碰撞,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的刻蝕。
CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH刻蝕系統(tǒng)通過(guò)電容耦合(CCP)方式產(chǎn)生高密度等離子體,按掩膜(例如光刻膠掩膜)圖形、實(shí)現(xiàn)對(duì)介質(zhì)材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的選擇性刻蝕。
CCP系統(tǒng)主要由以下幾部分組成:反應(yīng)腔室、下電 、噴淋頭(上電)、射頻電源、真空系統(tǒng)、預(yù)真空室、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)與軟件、配套附件等。
WINETCH等離子刻蝕機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn):
-刻蝕形貌好、工藝性能*
-高選擇比、高刻蝕速率
-低擁有成本和消耗成本
WINETCH等離子刻蝕機(jī)技術(shù)參數(shù):
晶圓尺寸:6/8寸兼容
適用工藝:等離子體刻蝕
適用材料:SiO2,Si3N4,etc.適用域:化合物半導(dǎo)體、MEMS、功率器件、科研等域