GVC-2000P磁控離子濺射儀產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、一鍵操作，具備工作完成提示音。
2、鍍膜顆粒小，無熱損傷。
3、靶材更換非常簡單。
4、特殊密封結(jié)構(gòu)，玻璃不易損壞。
5、內(nèi)置操作向?qū)В瑹o需培訓(xùn)即可熟練操作。

金顆粒尺寸（硅片噴金）                       電池隔膜10萬倍（噴鉑）

GVC-2000P磁控離子濺射儀技術(shù)方案

1. 采用平面磁控濺射靶頭進(jìn)行靶材濺射，以確保工作過程樣品不會發(fā)生熱損傷。

2. 采用ARM作為處理器，全自主知識產(chǎn)權(quán)，擴(kuò)展性好，可選配：

a) 膜厚監(jiān)控組件：可預(yù)設(shè)期望鍍膜厚度，在工作過程中精確控制鍍膜厚度；

b) 樣品臺加熱組件：可通過加熱提高膜層的致密性以及與基地的結(jié)合力。

3. 7英寸觸摸式液晶顯示屏，分辨率為800×480，全數(shù)字顯示；

3.1 可設(shè)定：（1）濺射電流；（2）濺射時(shí)間；（3）靶材種類；（4）工作真空度；（5）工作氣體；（6）屏幕亮度等參數(shù)；

3.2 可顯示：（1）濺射電流；（2）濺射剩余時(shí)間；（3）工作真空度；（4）靶材累計(jì)使用時(shí)間；（5）設(shè)備累計(jì)使用時(shí)間等參數(shù)。

4. 濺射電流：2-100mA連續(xù)可調(diào)，最小步長為1mA；

5. 濺射時(shí)長：1-999s連續(xù)可調(diào)，最小步長為1s；

6. 濺射真空：4-20Pa連續(xù)可調(diào)，最小步長為0.1Pa；

7. 濺射靶材：標(biāo)配為高純鉑靶（純度4N9），規(guī)格為φ57×0.12mm；也可使用金、銀、銅、金鈀合金等金屬作為濺射靶材；

8. 真空室：采用高透光性的高硅硼玻璃，尺寸約為φ200×130mm；

9. 樣品臺：可自轉(zhuǎn)的不銹鋼樣品臺，直徑為φ125mm，轉(zhuǎn)速4-20rpm可調(diào)；

10. 靶材參數(shù)：系統(tǒng)提供金、鉑、銀、銅對于空氣和氬氣的工作參數(shù)，可直接使用。同時(shí)提供4種自定義靶材，用戶可根據(jù)自己需求設(shè)定工作參數(shù)；

11. 預(yù)濺射：具有全自動控制的預(yù)濺射擋板，確保工作過程穩(wěn)定可靠；

12. 一鍵操作：系統(tǒng)可自動完成抽氣、充氣、參數(shù)調(diào)整、預(yù)濺射、濺射鍍膜等工作過程；濺射完成后，關(guān)閉真空泵，系統(tǒng)自動充氣使真空室內(nèi)外壓力平衡；

13. 具備濺射電流和真空度雙重互鎖，安全可靠，任一條件觸發(fā)，系統(tǒng)即可停止工作，防止因?yàn)檎`操作導(dǎo)致設(shè)備損壞；

14. 系統(tǒng)采用皮拉尼真空規(guī)作為真空測量元件；

15. 極限真空優(yōu)于1Pa，真空泵抽速為1.1L/s；

16. 具備實(shí)時(shí)曲線顯示濺射電流和真空度功能非常方便用戶了解系統(tǒng)工作狀態(tài)；

17. 采用專業(yè)的靶材更換結(jié)構(gòu)，無需任何工具，即可實(shí)現(xiàn)快速更換靶材；

18. 儀器供電：AC220±10%V，額定功率500W。