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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>組裝與封裝設備>芯片開封機>ZG SOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片

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ZG SOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片

參考價 9888
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱 四川梓冠光電科技有限公司
  • 品牌 梓冠
  • 型號 ZG
  • 產地 經開區電子制造產業園16棟3樓
  • 廠商性質 生產廠家
  • 更新時間 2023/10/18 9:09:39
  • 訪問次數 1070

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四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月,位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設備和光通訊芯片的研發、設計、生產及銷售;是一家擁有自主研發能力及規模性量產能力的光通信高新技術企業。
    梓冠光電自成立以來,持續投入研發,吸納通信行業技術人才,其中博士占比人數5.7%,本科占比人數22.8%。公司產品日漸鄒于多元化,不僅擁有行業水平的光開關、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導體激光器及光路保護設備(OXC)等產品,公司還為激光雷達系統、量子通訊系統、激光聚變成像傳輸系統等提供核心的高精端光器件,其中光纖延遲器、光開關、光衰減器系列為核心技術的量產產品,產品技術獲得多項認證,其中發明6項,外觀,軟著,實用性等共16項。
公司擁有超150多家客戶,已與華為、中航、中電、中物院、高校及航天等企業、單位達成長期穩定的戰略合作;公司先后獲得“科技型中小企業” ,“國家高新技術企業” ,“綿陽市文明青年號”,“2016年度誠信創業青年,“軍民融合企業”,“2019年度知識產權工作優秀單位”等榮譽稱號。
   四川梓冠光電科技有限公司堅持科技創新為原則,一直將創新貫穿于企業的核心價值當中,公司強調和諧的企業創新氛圍,為每一位員工提供一個廣闊的發展平臺;在企業內部管理上十分重視團隊精神,以團隊的共同創造能力推進企業的各項發展,更加系統化、專業化,給客戶持續提供優質和全面的服務,使梓冠光通信的產品處在行業







延遲線、光開關、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測器、WDM準直器、光隔離器、環形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準直器、激光準直器、光纖反射鏡、光纖旋轉器、偏振控制器(三環、擠壓式)、光柵、波分復用器(CWDM/DWDM)等

硅基單片集成 9bit 可調光時延線芯片

〖簡介Introduction〗

單片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術,是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產品。采用二進制多級時延回路結構,芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路,延時切換時間達到 200ns 以下,最大總時延量 1022ps;延時精度 0.5ps,片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統采用微波傳輸線的電時延芯片,光時延器可以適用任意的微波和毫米波頻段,具有極低的串擾非目標時延信號消光比。最大時延 1ns 的 9bit 可調光延時芯片尺寸小至 2cm×1.5cm,大幅度減小系統體積;由于光載波頻率相對于微波信號大至 4 個數量級的頻率比,光子集成的時延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號處理能力,適合各類超寬帶相控陣的波束合成應用。

〖特性Features

n 高速切換(100~200ns)

n 高延時精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可達)

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態波導芯片可靠性強

n 大時延范圍(~2ns 可達)

n 高功率耐受度( 23dBm 典型值)


應用Applications〗

n 光控相控陣系統、超寬帶光域信號處理

主要性能指標 Specifications

性能指標/Parameter

單位/Unit

典型值/Typ.

備注/Notes

工作波長/Operationwavelength

nm

1530-1570


延時位數/Delay bits

/

9

可定制/Can be customized

最小延時步進/Min.step-delay

ps

2

可定制/Can be customized

可調節最大延時量/Adjustable max.delay

ps

1022


延時精度

ps

±0.5

16ps 延時量

±1

18~64ps 延時量

±2

66~512ps 延時量

±3

514~1022ps 延時量

延時切換時間/Delay switching time

ns

200


插入損耗/Insertion loss

dB

11

13dB max

各延時態損耗差異/Delay state loss difference

dB

±1


耐受光功率

dBm

23

26dBm max

波損耗/Return loss

dB

45


芯片尺寸/Chip dimension

mm

20×15×0.7



















SOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片

SOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片




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