| 產地類別 | 進口 | 應用領域 | 綜合 |
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原子層沉積系統
將氣相前驅體交替脈沖通入反應室，并在襯底表面發生氣/固相化學吸附反應形成薄膜。無論液體、氣體還是固體化學物，都可以配置獨立，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度小的薄膜層。
2 表面自限制生長，平整度高，均勻性好。
2 逐層吸附沉積，無針孔，致密性高。
2 三維共形：前驅體均勻覆蓋襯底材料表面，生成與襯底表面形狀一致的薄膜，適用各種復雜三維形狀的襯底。
2 附著性高，在化學吸附作用下，前驅體和襯底材料緊密粘附在一起。
2 單原子層逐層沉積，厚度精確可控。
原子層沉積系統
型號 | R-200標準型 | R-200高級型 |
襯底尺寸（φ） | 單片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太陽能硅片 | 單片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太陽能硅片 |
襯底形貌 | 復雜三維構型、平板、多孔、通孔、溝槽、粉末與顆粒 | |
深寬比 | 2500 | 2500 |
溫度 | 50~500℃ | 50~500℃ Plasma：450/650℃ |
溫度精度 | ±1℃ | ±1℃ |
襯底傳送選件 | v 氣動升降（手動裝載）； v 磁力機械手裝載（Load lock ）
| v 氣動升降（手動裝載） v 磁力機械手裝載（Load lock ） v 半自動裝載； v 全自動裝載 |
前驅體 | v 液體、固體、氣體、臭氧源 v 6個前驅體源，4個獨立源管
| v 液體、固體、氣體、臭氧源、等離子體（最多4路） v 12個前驅體源，6個獨立源管，（選擇Plasma時，共7根獨立源管） |
均勻性（1σ） | 6“和8”晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數據 - AI2O3 (batch)：0.13% - TiO2：0.28% - HfO2：0.47% - SiO2 (batch)：0.77% - ZnO：0.94% - Ta2O5：1.0% - TiN：1.1% - CeO2：1.52% - Pt：3.41% | |
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