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感應耦合電漿化學氣相沉積設備

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北京瑞科中儀科技有限公司專注半導體材料研究分析設備的研發和應用。專業的團隊,專精的服務,提供理想的解決方案。

我們長期專注于半導體材料研究與分析設備的經銷和代理,為高校、企業科研工作者提供專業的分析解決方案。以專業技能為導向,用科技來解決用戶在科研中遇到的難題。專業的技術工程師和科研工作者進行現場演示和技術交流,打消顧慮,彼此協作,為我國的科研領域譜寫新篇章。

北京瑞科中儀科技有限公司長期代理銷售供應多種分子材料的研究分析設備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應耦合等離子體化學氣相沉積系統、離子束刻蝕機、等離子清洗機、物理氣相沉積系統以及各品牌的光學顯微鏡以及實驗室設備儀器。

客戶至上的服務理念,以人為本的企業文化,我們始終為用戶提供專業的服務!

合作丨共贏,選擇我們,選擇未來!

 

半導體材料分析,材料刻蝕

應用領域 環保,化工,電子

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ICP-CVD 感應耦合電漿化學氣相沉積設備(ICP-CVD)是一種使用ICP的化學氣相沉積技術,可為沉積反應提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。因使用ICP做為電漿源,有電漿濃度較高、能量損耗較低、功率較大與反應速率較高等優點。

SYSKEY感應耦合電漿化學氣相沉積設備的ICP-CVD可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度),並提供高品質的薄膜。

應用領域腔體
  • 奈米碳管與石墨烯製程。

  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄

    膜製程。

  • 二維材料。

  • 醫療和商業產品的耐磨薄膜。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統、加熱器或

    加熱包來控制腔體溫度。


配置和優點選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達

    12寸晶圓。

  • 腔體壓力:50~10-3 Torr。

  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可擴充10條氣體管線。

  • 穩定的溫度控制,將載盤加熱至700°C。

  • 使用Tornado ICP線圈,ICP電漿範

    圍為50W ~2000W,滿足客戶ICP-CVD製程需求。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手

    套箱整合在一起。

  • RPS用於腔體清潔。

  • 橢圓偏振光譜儀。

  • 發射光譜儀。

  • 高真空傳送系統。




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