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Compact ALD 臺式原子層沉積鍍膜系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 Compact ALD
  • 產(chǎn)地 韓國
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時間 2024/8/23 11:35:02
  • 訪問次數(shù) 1588
產(chǎn)品標簽

臺式ALD原子層沉積

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科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國外高科技儀器廠家在中國地區(qū)的代理??祁9疽回灡小赫\信』、『品質(zhì)』、『服務(wù)』、『創(chuàng)新』的企業(yè)文化,為廣大中國用戶提供儀器、設(shè)備,周到的技術(shù)、服務(wù)和*的整體解決方案。在科技日新月異、國力飛速發(fā)展的中國,納米科學研究、薄膜材料(包括半導體)生長和表征、表面材料物性分析、生物藥物開發(fā)、有機高分子合成等等領(lǐng)域,都需要與歐美發(fā)達國家*接軌的儀器設(shè)備平臺來實現(xiàn)??祁TO(shè)備有限公司有幸成長在這個火熱的年代,我們愿意化為一座橋梁,見證中國科技水平的提升,與中國科技共同飛速成長。
      科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設(shè)在中國香港,在中國上海設(shè)立了分公司,在國內(nèi)多個城市設(shè)立了辦事處或維修站,旨在為客戶提供*的產(chǎn)品和服務(wù)。2010年,科睿設(shè)備有限公司在上海設(shè)立備品倉庫及維修中心,同時提供在大陸的各項技術(shù)服務(wù)和后期的維修保障服務(wù),我們擁有專業(yè)的應(yīng)用維修人員,并且都曾到國外廠家進行了專門的培訓。上海配備了多種維修部件,能使我們的服務(wù)更加快捷和方便。我們承諾24小時電話響應(yīng),72小時內(nèi)趕到現(xiàn)場維修。以利于更好、更快的為中國大陸服務(wù)!
      因為信任,所以理解.我們理解用戶的困難和需求。我們已經(jīng)為國內(nèi)眾多科研院所和大學根據(jù)用戶的要求配制和提供了上百套系統(tǒng),主要用戶包括:中科院物理所,中科院半導體所,中科院大連化學物理研究所,國家納米中心,上海納米中心,北京大學,清華大學,中國科技大學,南京大學,復(fù)旦大學,上海交通大學,華東理工大學,浙江大學,中山大學,西安交通大學,四川大學,中國工程物理研究院,香港大學,香港城市大學,香港中文大學,香港科技大學等。



光刻機,鍍膜機,磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測量),氣溶膠設(shè)備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),原子層沉積系統(tǒng)(ALD),快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,稀釋器,濾料測試系統(tǒng)

價格區(qū)間 10萬-50萬 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,電子

臺式原子層沉積鍍膜系統(tǒng)ALD擁有達到或超過市場上其他品牌的功能,同時易于使用和維護 - 成本低于當今市場上的價格

腔室溫度:室溫到325°C±1°C;

前軀體溫度從室溫到 150 °C ± 2 °C(帶加熱夾套)

市場上最小的占地面積(2.5 平方英尺),臺式 安裝和潔凈室兼容

簡單的系統(tǒng)維護和實用程序和 市場上的前體使用

流線型腔室設(shè)計和小腔室體積

快速循環(huán)能力

全硬件和軟硬件聯(lián)鎖,即使操作安全 在多用戶環(huán)境中

臺式原子層沉積鍍膜系統(tǒng)用于電子顯微鏡的樣品通常受益于薄膜的添加。它通常是導電材料,例如Pt,Pd或Au。這些導電層有助于抑制電荷,減少局部光束加熱引起的熱損傷,并改善二次電子信號。

傳統(tǒng)上,這些薄膜是使用PVD技術(shù)生長的。隨著技術(shù)的進步,某些類型的樣品不能通過PVD提供,因為需要涂層的特征無法進入現(xiàn)場生長線。

研究人員將受益于ALD生長的導電薄膜,因為已經(jīng)開發(fā)出針對小樣品導電金屬生長進行了優(yōu)化的系統(tǒng)(與臺式濺射的價格點相同)

為保形導電薄膜提供了用于 3D 樣品制備的解決方案,同時還提供目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng) 2D 鍍膜。我們不僅突破了界限,而且是當前樣品制備過程的有效替代品,所有這些都在臺式配置中,價格相當。


熱ALD / PEALD

沉積工藝:
金屬:Ru、Ti、Co、…

氧化物:Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、,。。。

氮化物:TiN、TaN等,。。


基板尺寸:工件最大為6英寸

源注入:雙型噴頭

基板加熱器溫度:RT至最高350℃(@晶片)

前軀體化學源數(shù)量:3套

源瓶加熱:RT至150℃

射頻功率:600W@13.56Mhz

極限壓力:≤5.0×10-3乇

泵:干式泵或旋轉(zhuǎn)泵

沉積均勻度:≤±3%

系統(tǒng)控制:PC控制(UPRO軟件)

可選 源瓶加熱溫度200℃

尺寸(寬*長*高)850mm*720mm*600mm







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