為何要去除光刻膠？

在現代半導體生產過程中，會大量使用光刻膠來將電路板圖圖形通過掩模版和光刻膠的感光與顯影，轉移到晶圓光刻膠上，從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形，然后在光刻膠的保護下，對下層薄膜或晶圓基底完成進行圖形刻蝕或離子注入，最后再將原有的光刻膠*去除。

去膠是光刻工藝中的最后一步。在刻蝕/離子注入等圖形化工藝完成后，晶圓表面剩余光刻膠已完成圖形轉移和保護層的功能，通過去膠工藝進行*清除。

光刻膠去除是微加工工藝過程中非常重要的環節，光刻膠是否*去除干凈、對樣片是否有造成損傷，都會直接影響后續集成電路芯片制造工藝效果。

半導體光刻膠去除工藝有哪些？

半導體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據去膠介質的差異，分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類別。

各類去膠方法對比：

上圖可見，干式去膠適合大部分去膠工藝，去膠*且速度快，是現有去膠工藝中好的方式，而微波PLASMA去膠技術，也是干式去膠的一種。

達因特的微波PLASMA去膠機，搭載國內微波半導體去膠發生器技術，配置磁流體旋轉架，使微波等離子體更加高效、均勻的輸出，不僅去膠效果好，還能做到無損硅片與其他金屬器件。并提供“微波+Bias RF”雙電源技術，以應對不同客戶需求。