光遺傳性微絲列陣憑借我們新穎可靠的產品，通過集成光纖結合多通道陣列對細胞進行光活化/光抑制，您可以在光刺激的同時實現對擴展大腦區域的神經電生理記錄。光遺傳性微絲列陣 Opto-MWA 專為慢性實驗而設計，為神經科學界提供了最佳的靈活性和負擔得起的替代方案。

光遺傳性微絲列陣

用戶定制

多種光纖直徑可供選擇。

多達 32 個穿透電極圍繞一根或多根光纖。

每個電極和光纖的自定義長度在 1 到 40 毫米之間，包括陣列內的不同長度。

電極之間的自定義間距在 0.1 - 1 毫米范圍內

單個電極的自定義微電極阻抗范圍在 10 kΩ - 5 MΩ 之間。

自定義電極，端部直徑在 1 - 6 µm 之間。

根據研究人員的要求定制參考電極和接地電極。

可選集成光纖和/或藥物輸送套管。

Parylene-C 電極絕緣。

純銥建議用于慢性刺激研究。

可選的聚酰亞胺管以增加剛度。

金屬類型

鉑/銥 純銥

應用：

單臺-LFP ECOG

脊髓

隔離制備

光遺傳性微絲列陣

受試對象

嚙齒動物

大型動物

鳥類

非人類靈長類

光纖位于陣列的中間，其垂直位置是定制的，其插座與大多數光源兼容。

小規模但高密度的陣列提供多通道單單元 (SUA)、多單元 (MUA) 和場電位 (FP) 數據，從而獲得一致和高質量的結果。

標準布局

電極直徑 75 µm、125 µm 和 225 µm

A. 電極之間的距離 100 µm 至 1 mm

B. 電極與光纖之間的距離 100 µm 至 1 mm

C. 光纖直徑 125 µm 或 230 µm

光遺傳學將特定神經元或蛋白質的基因靶向與光學技術相結合，用于對完整、活神經回路內的目標進行成像或控制（Deisseroth 等，用于照亮基因靶向大腦回路的下一代光學技術。J Neurosci. 2006 Oct 11; 26（41）：10380-6。）

數據由 Ilka Diester、感覺運動回路和光遺傳學、恩斯特·斯特魯恩曼研究所與德國馬克斯·普朗克學會合作提供