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PHI nanoTOF 3+ 飛行時間質譜儀

具體成交價以合同協議為準

聯系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!


PHI (China) Limited 高德英特(北京)科技有限公司(以下簡稱"高德")2010年在北京成立。高德公司秉承"為一.流的商業產品提供頂級的創新市場營銷、售后服務和技術應用支持"的服務理念,為全.亞洲的客戶提供服務和支援。

高德作為 ULVAC-PHI 在中國地區提供銷售及售后服務的唯.一公司,產品主要集中在表面分析儀器,包括XPSAESTOF-SIMS,同時也提供EllipsometerMBEALD等設備。高德可為客戶提供從產品策略性營銷規劃到產品應用及售后服務的完整解決方案。

高德憑借為客戶提供業界最佳的產品和服務來為客戶賦能,從而幫助客戶創造最大價值。高德目前在中國地區已經建立起全.方位銷售網絡,銷售合作伙伴遍布全國,客戶包括國內知.名高校、科研院所以及高新技術企業等。高德技術人員皆具備多年使用超高真空和精密電子分析儀器的經驗,售后服務網點和人員分布于全國各大區域,可在第一時間為客戶提供及時、高效、完善的支持服務。

 

表面分析儀器

價格區間 面議 儀器種類 飛行時間
應用領域 化工,地礦,能源,電子,綜合

特征

良好的多功能TOF-SIMS具有更強大的微區分析能 力,更加出色的分析精度


飛行時間二次離子質譜儀


較新一代 TRIFT 質量分析器,更好的質量分辨率 

適用于絕緣材料的無人值守自動化多樣品分析 

D特的離子束技術 

平行成像 MS/MS 功能,助力有機大分子結構分析 

多功能選配附件

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TRIFT分析器適用于各種形狀的樣品 

寬帶通能量+寬立體接收角度


寬帶通能量、寬立體接受角-適用于 各種形貌樣品分析

主離子束激發的二次離子會以不同角度和能量從樣品表面飛 出,特別是對于有高度差異和形貌不規則的樣品,即使相同 的二次離子在分析器中會存在飛行時間上的差異,因此導致 質量分辨率變差,并對譜峰形狀和背景產生影響。 TRIFT質量分析器可以同時對二次離子發射角度和能量進行 校正, 保證相同二次離子的飛行時間一致, 所以TRIFT兼顧 了高質量分辨率和高檢測靈敏度優勢,而且對于不平整樣品 的成像可以減少陰影效應。


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實現高精度分析的一次離子槍

良好的離子束技術 實現更高質量分辨

PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質量分辨和高空間分辨的TOF-SIMS分析 :在高質量分辨模式下,其空間分辨率優于500 nm ;在高 空間分辨模式下,其空間分辨模式優于50 nm。通過結合高強度離子源、高精度脈沖組件和高分辨率質量分析器,可以實現低 噪聲、高靈敏度和高質量分辨率的測量 ;在這兩種模式下,只需幾分鐘的測試時間,均可完成采譜分析。

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前所未見的無人值守TOF-SIMS自動化多樣品分析 -適用于絕緣材料

PHI nanoTOF3+搭載全新開發的自動化多樣品分析功能,程序可根據 樣品導電性自動調整分析時所需的高度與樣品臺偏壓, 可以對包括 絕緣材料在內的各類樣品進行無人值守自動化TOF-SIMS分析。 整個分析過程非常簡單, 只需三步即可對多個樣品進行表面或深度 分析 :①在進樣室拍攝樣品臺照片 ;②在進樣室拍攝的照片上指。定 分析點 ;③按下分析鍵,設備自動開始分析。 過去,必須有熟練的操作人員專門操作儀器才能進行TOF-SIMS分析 ; 現在,無論操作人員是否熟練,都可以獲得高質量的分析數據

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標配自動化傳樣系統

PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表現優異的全自動樣品傳送系 統 :最大樣品尺寸可達100mmx100 mm, 而且分析室標配內置 樣品托停放裝置 ;結合分析序列編輯器(Queue Editor),可 以實現對大量樣品的全自動連續測試。

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采用新開發的脈沖氳離子槍獲得 zhuan利的自動荷電雙束中和技術

TOF-SIMS測試的大部分樣品為絕緣樣品,而絕緣樣品表面 通常有荷電效應。PHI nanoTOF3+ 采用自動荷電雙束中和 技術,通過同時發射低能量電子束和低能量氳離子束,可 實現對任何類型和各種形貌的絕緣材料的真正自動荷電中 和,無需額外的人為操作。

 ·需要選配Ar離子qiang


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遠程訪問實現遠程控制儀器

PHI nanoTOF3+允許通過局域網或互聯網訪問儀器。 只需將樣品臺放入進樣室,就可以對進樣、換樣、測試和分析等所有操作進行遠程控制。我們的專業人員可以對儀器進行遠程診斷

*如需遠程診斷,請聯系我們的客戶服務人員。

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從截面加工到截面分析: 只需一個離子源即可完成

標配離子槍FIB(Focused lon Beam)功能

在PHI nanoTOF3+中, 液態金屬離子qiang/

具備FIB功能, 可以使用單個離子槍對樣品進行 橫截面加工和橫截面TOF-SIMS分析。通過操 作計算機, 可以快速輕松地完成從FIB處理 到TOF-SIMS分析的全過程。此外,可在冷卻 條件下進行FIB加工。 在選配Ga源進行FIB加工時,可以獲得FIB加 工區域的3D影像 ;Ga源還可以作為第二分析 源進行TOF-SIMS分析。

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通過平行成像MS/MS進行分子結構分析[選配]

MS/MS平行成像 同時采集MS1/MS2數據(Z利)

TOF- SIMS分析

在TOF-SIMS測試中,MS1質量分析分析器接收從樣品表面 產生的所有二次離子碎片,對于質量數接近的大分子離子, MS1譜圖難以區分。通過安裝串聯質譜MS2,對于特定離子 進行碰撞誘導解離生產特征離子碎片,MS2譜圖可以實現 對分子結構的進一步鑒定。

PHI nanoTOF3+具備串聯質譜MS/MS平行成像功能, 可以 同時獲取分析區域的MS1和MS2數據,為有機大分子結構解 析提供了強有力的工具。

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