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渦流法電阻率測試儀

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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公司成立于2021年，是一家注冊在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售于一體，主要攻克國外壟斷技術(shù)，替代進(jìn)口產(chǎn)品，使半導(dǎo)體材料測試設(shè)備國產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品：非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率（霍爾）測試儀、少子壽命測試儀，晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)驗，申請各項知識產(chǎn)權(quán)20余項，已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場口碑。





晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率測試儀，少子壽命測試儀

樣品尺寸：2"-8"或者16mm×16mm的方形樣品；

遷移率測量范圍：100-20000（cm2/v.sec)；

方塊電阻測量范圍：100-3000（ohm/sq)；

載流子面密度測量范圍：1E11-1E14（cm-2）；

電磁鐵磁場強(qiáng)度：1.0T

探頭線圈直徑：15mm

專注于非接觸式半導(dǎo)體計量分析技術(shù)的開發(fā)和生產(chǎn) ，攻克被國外卡脖子技術(shù)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、科研以及平板材料測試領(lǐng)域。借助公司*計量分析測試技術(shù)，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測試和解決方案。

晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，

 

電阻有一個特性，即任意大小的正方形測量值都是一樣的，不管邊長是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度等因素有關(guān)，表征膜層致密性，同時表征對熱紅外光譜的透過能力，方塊電阻測量數(shù)值愈大，則隔離熱紅外性能越差，方塊電阻測量數(shù)值愈小則隔離熱紅外性能越好，對于建筑行業(yè)來講低輻射玻璃的熱紅外性能測量的快速測量就必須選用方塊電阻測量儀，測量值愈小則建筑材料就愈節(jié)能，在建筑材料行業(yè)具有很大的作用

 
渦流法電阻率測試儀技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

                方阻（電阻率）（厚度 約125μm）

探頭量程

 

8- 2500 Ω/sq（0.1-30 Ω?cm）可擴(kuò)展到100Ω?cm

探頭性能

動態(tài)重復(fù)性

靜態(tài)重復(fù)性

示值誤差

測試條件：采樣率 250SPS（4ms），60 個點/每次

008-160Ω/sq（0.1- 2 Ω?cm)   < 0.3%

<0.05%

≤±3%

160-800Ω/sq（2 - 10 Ω?cm）< 0.5%

<0.1%

≤±3%

800-2500Ω/sq（10 - 30 Ω?cm）< 0.5 %

<0.2%

≤±3%

外形尺寸

上探頭：Ф20×145mm

下探頭：Ф20×100mm

控制盒:173×130×55mm

信號采集

采樣率：≤1ms，采集數(shù)據(jù)＞300點

數(shù)據(jù)接口：RS232    RS485    CAN    TCP/IP

傳輸協(xié)議：Modbus Rtu/ Modbus Tcp、用戶自定義 SOCKET 協(xié)議等

自動溫度補(bǔ)償系統(tǒng)

原始信號可公開

 

 

 

 

參數(shù)

 

 

      PN

 

 

外形尺寸

Ф25*99mm

 

 

電阻率范圍

樣品電阻率范圍：0.02-3000Ω?cm

 

 

 

信號采集

采樣率：60sps - 1000sps（1ms - 16ms/點），默認(rèn)4ms
 

采樣數(shù)據(jù)：**200個點，默認(rèn)100點

 

 

光源特性

理論壽命> 10年

頻率可調(diào)：1KHz - 100KHz，可避免機(jī)臺同頻干擾

PN測試原理

用能量大于半導(dǎo)體材料禁帶寬度的單色光照射在半導(dǎo)體材料表面，在其內(nèi)部產(chǎn)生電子-空穴對，受濃度梯度驅(qū)動擴(kuò)散至半導(dǎo)

體材料近表面空間電荷區(qū)的電子和空穴將被自建電場分離，形成光生電壓，即表面光電壓。

                                       

 

N型和P型半導(dǎo)體材料在光誘導(dǎo)下，表面勢壘高度的變化過程

與進(jìn)口儀器相關(guān)性及重復(fù)性對比（來源于客戶測試）
電阻率探頭——相關(guān)性系數(shù)R2=0.9996

 

電阻率探頭——穩(wěn)定性

 

樣片1

 樣片2
  進(jìn)口*** 九域 進(jìn)口*** 九域
No.

Ave

Max

Min

Ave

 Max

Min

Ave

Max

Min

Ave

Max

Min

1

0.376

0.385

0.312

 0.375

0.383

0.318

0.64

0.648

0.542

0.636

0.643

0.547

2

0.377

0.386

0.311

0.375

0.383

0.317

0.64

0.649

0.541

0.636

0.643

0.546

3

0.376

0.386

0.311

 0.375

0.384

0.318

0.641

0.647

0.541

0.634

0.642

0.546

4

0.378

0.386

0.314

0.376

0.384

0.319

0.642

0.642

0.542

0.635

0.646

0.542

5

0.377

0.385

0.314

0.375

0.383

0.316

0.639

0.647

0.545

0.635

0.644

0.545

6

0.376

0.382

0.315

0.375

0.383

0.318

0.64

0.649

0.542

0.636

0.645

0.545

7

0.378

0.384

0.311

0.375

0.383

0.317

0.642

0.648

0.543

0.636

0.644

0.545

8

0.378

0.384

0.311

0.375

0.384

0.316

0.641

0.648

0.541

0.635

0.644

0.544

9

0.377

0.382

0.313

0.375

0.384

0.318

0.64

0.647

0.542

0.635

0.643

0.546

10

0.376

0.383

0.313

0.376

0.384

0.318

0.641

0.648

0.545

0.635

0.645

0.544

Rsd

0.232%

0.408%

0.483%

0.112%

0.137%

0.306%

0.151%

0.309%

0.278%

0.106%

0.186%

0.259%

%

      

0.00%

0.26%

1.60%

      

-0.94%

-0.46%

-0.18%

 

 

樣片3

 樣片4
 

進(jìn)口***

九域

 進(jìn)口*** 九域

No.

Ave

Max

Min

Ave

Max

Min

Ave

Max

Min

Ave

Max

Min

1

1.251

1.285

0.972

1.26

1.271

0.965

2.005

2.011

1.689

1.992

2.002

1.666

2

1.25

1.278

0.971

1.257

1.272

0.968

2.006

2.011

1.687

1.992

2.001

1.654

3

1.251

1.277

0.969

1.256

1.271

0.967

2.001

2.008

1.698

1.993

2.003

1.653

4

1.248

1.287

0.966

1.258

1.268

0.968

2.002

2.015

1.688

1.991

2.005

1.655

5

1.247

1.283

0.964

1.258

1.274

0.962

2.006

2.018

1.687

1.992

2.002

1.665

6

1.252

1.281

0.963

1.258

1.274

0.962

2.004

2.019

1.685

1.997

2.001

1.653

7

1.250

1.282

0.962

1.259

1.271

0.965

2.008

2.021

1.697

1.992

2.009

1.653

8

1.252

1.282

0.964

1.257

1.272

0.960

2.008

2.035

1.683

1.998

2.01

1.658

9

1.252

1.284

0.968

1.256

1.274

0.966

2.009

2.021

1.682

1.996

2.01

1.655

10

1.253

1.277

0.97

1.255

1.271

0.965

2.004

2.022

1.685

1.992

2.008

1.659

Rsd

0.152%

0.266%

0.370%

0.120%

0.147%

0.280%

0.131%

0.381%

0.320%

0.126%

0.189%

0.295%

%

      

0.16%

-0.47%

-0.52%

      

-0.60%

-0.69%

-1.54%

光伏探頭——穩(wěn)定性（該產(chǎn)品在光伏領(lǐng)域已成功上市，穩(wěn)定測試超過20億片）

高值樣品九域測試結(jié)果

 

出廠檢測報告

 



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