主要特點

　　復合氧化物氫分離膜制備用CVD設備，可以實現在多孔氧化鋁陶瓷管和陶瓷片上化學沉積上氧化物(SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2)和復合氧化物(Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2- ZrO2)氫分離膜。

　　設備復合氧化物氫分離膜制備用CVD設備結構

　　1) 主體加熱為三段加熱系統，最高使用溫度為1000℃;

　　2) 3個液態源加熱蒸發鼓泡器，最高溫度300℃，獨立控溫。

　　3) 3路進氣系統，分別為氮氣、氬氣和氫氣，皆可直接進入混氣室載進入真空腔體，且流量分別可控，流量計控制精度為±1.5%F.S。另外氮氣作為吹掃氣，分別通過流量計并列進入三個液態源后再進入混氣室，三路均配有單獨閥門控制。

　　4) 陶瓷盲管長620mm，外徑12mm，內徑9mm。距離開口端250mm至350mm處，為孔徑0.2μm的沉積段，其余管外壁已釉封;

　　5) 陶瓷管開端在石英管一側固定并進行陶瓷管的內外密封(見示意圖1)。需要固定時間間隔，從陶瓷管內進行抽氣，滿足透出載氣的氣袋收集和流量檢測兩種功能，并實現兩種功能間的切換。

　　6) 陶瓷片樣品直徑30mm，厚度3mm。3個樣品臺，每個樣品臺上可同時放置3片陶瓷片樣品。

　　7) 設備空間盡量小。

　　8) 后端真空連接系統.

　　技術參數