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化工儀器網>產品展廳>配件耗材>質譜儀配件/附件>離子源> 上海伯東代理美國 KRi 離子源RF2100ICP

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上海伯東代理美國 KRi 離子源RF2100ICP

具體成交價以合同協議為準

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上海伯東是德國 Pfeiffer  真空設備, 美國  KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Gel-pak 芯片包裝盒, 日本 NS 離子蝕刻機, 比利時 Europlasma 等離子表面處理機 和美國 Ambrell 感應加熱設備等進口品牌代理商 .我們真誠期待與您的合作!




質譜分析儀,氦質譜檢漏儀,分子泵,離子源,真空閥門

供貨周期 一個月以上
射頻等離子體源 RF2100ICP

射頻等離子體源 RF2100ICP Plasma Source
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼品牌離子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射頻等離子體源及配套控制器, RF2100 等離子體放電, RFICP 在 2MHz, 電子自動匹配, 固定匹配網絡. 離子源 RF2100ICP 適用于預清潔, 氧化和氮化處理, 輔助沉積, 以及各類半導體材料, 磁性金屬等的制備.

KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源特性
通過 RFICP 放電激活等離子體: 產生 O?, N? 反應等離子束
寬束發散等離子束(準中性): 大出口平面孔徑, 提高覆蓋范圍和均勻性
輸出低能量離子: 大限度地減少襯底損壞
無提取柵網: 減少復雜性, 降低維護成本和潛在污染源
可靠的等離子點火電路: 專用電子源僅在等離子體啟動時開啟
離子源自動控制和調節: 自動排序和射頻阻抗匹配
無水冷卻: 消除真空中水泄漏的風險
適用于不同的轟擊距離: 一般為 15 至 45厘米
等離子體源 RF2100 ICP Plasma Source

KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源參數

Dishcharge

電感耦合

RF discharge power

600W

輸出電流

> 500mA (取決于功率,壓力和氣體)

通 Ar 能量范圍

5-50V (取決于功率和壓力)

等離子尺寸@源打開

14cmφ

離子束形狀

發散

點火

電子源

氣體

Ar, O?, N?, H?/Ar blend

壓力

0.5-10mTorr (取決于氣體種類)

氣體流量

5-60sccm (取決于抽速, 氣體, 壓力和功率)

冷卻

無水冷卻

一般高度

9.25” (23.5cm)

直徑

7.675” (19.5cm


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.


若您需要進一步的了解 KRi 離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生       




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