瑞禧-鎳摻雜/碘摻雜改性石墨相氮化碳

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定制供應g-C3N4、TiO2、Bi2WO6、Bi2MoO6、BiVO4等鉍Bi系化合物及其納米材料

瑞禧-鎳摻雜/碘摻雜改性石墨相氮化碳

石墨相氮化碳(g-C3N4)作為一種的半導體光催化劑,受到.氮化碳具有的電子能帶結構(CB:-1.42 V,VB:1.28 V,vs.Ag/AgCl),理論上可以分解水產生氫氣和氧氣.[1]然而,g-C3N4作為一種聚合物半導體,其導電能力較差,嚴重限制了其光催化性能.[2]Heeger教授團隊研究發現碘摻雜改性導電聚合物,其導電性能提幾個到十幾個數量級.[3]基于此,我們擬采用碘摻雜改性的手段對g-C3N4進行結構修飾,以期提其導電性能,從而提其光解水活性.通過研究發現,碘摻雜后g-C3N4導電能力確實得到提,另外,其光吸收性能,載流子的遷移能力都提

鈰摻雜石墨相氮化碳
磷摻雜的介孔石墨類氮化碳(P-mpg-C3N4)
石墨相g-C3N4聚合物半導體光催化劑
石墨相氮化碳納米管(CN-NTs)光催化劑
手性石墨相氮化碳聚合物半導體光催化劑
單層石墨相氮化碳納米片（NMGCNs）
介孔石墨相氮化碳(CND-SBA15)
納米級石墨相氮化碳光催化劑
三元金屬硫化物-石墨相氮化碳
海藻酸鈉修飾石墨相氮化碳納米片
硫化鎘修飾類石墨相氮化碳復合材料
鈉摻雜石墨相氮化碳
鎳摻雜石墨相氮化碳
熒光氮化碳量子點(g-C3 N4 QDs)

 石墨烯量子點/TiO2納米線復合材料
錫摻雜TiO2納米線陣列
Au,CdS納米粒子修飾TiO2納米線
CdS納米粒子修飾TiO2納米線
銀和石墨烯共修飾TiO2納米線
TiO2修飾Si/Fe2O3納米線陣列
硫化釩修飾二氧化鈦納米線陣列
FTO基底上TiO2納米線陣列g-C3N4/Bi2MoO6復合材料
鉬酸鉍
花瓣狀γ-Bi2MoO6微米晶
花狀納米球光催化劑Bi2MoO6
鎢酸鉍(Bi2WO6)量子點/納米片修飾的石墨相氮化碳(g-C3N4)
Bi2WO6/g-C3N4復合材料
球形氧化亞銅Cu2O修飾Bi2WO6層狀微球
石墨烯量子點修飾鉬酸鉍納米片 Bi2WO6-GQDs
光響應的聚吡咯/Bi2WO6復合材料
BiVO4 釩酸鹽
四面體錯石結構BiVO4
單斜白鎢礦結構BiVO4
單斜四面體結構BiVO4
單斜相的BiVO4納米結構
樹葉狀BiVO4二維納米片
活性HKUST-1-MOF–BiVO4

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