一、技術條件

1.1、功能范圍：

可對各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項動態參數如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、柵極串聯等效電阻、雪崩耐量進行測試。

1.2、環境要求

1、環境溫度：15—40℃

2、相對濕度：存放濕度不大于70%

3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa

4、電網電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

5、電網頻率：50Hz±1Hz

6、電源功率：20KW

7、供電電網功率因數：＞0.9

8、氣源要求：≥0.6Mpa

9、無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害。

二、概述

EN-1230A分立器件動態參數測試系統是由西安易恩電氣科技有限公司自主研制、生產的半導體分立器件動態參數測試的設備，通過使用更換不同的測試工裝可以對不同封裝的半導體器件進行非破壞性瞬態測試，通過軟件切換可以對不同器件進行動態參數測試。可用于快恢復二極管、IGBT、MOSFET的測試。測試原理符合國軍標，系統集成度高，性能穩定，具有升級擴展潛能和良好的人機交互。

該套測試設備主要由以下幾個單元組成：

•  開關特性測試單元
•  反向恢復測試單元
•  柵極電荷測試單元
•  安全工作區測試系統
•  結電容測試單元
•  柵極內阻測試單元
•  雪崩耐量測試單元
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