射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
- 公司名稱(chēng) 伯東企業(yè)（上海）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2023/7/4 16:22:47
- 訪問(wèn)次數(shù) 296
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| 供貨周期 | 一個(gè)月以上 |
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KRi 射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
上海伯東某客戶(hù)為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 生產(chǎn)過(guò)程中需在白玻璃上進(jìn)行鍍膜. 由于國(guó)產(chǎn)鍍膜設(shè)備在射頻和光控性能方面的限制, 鍍制過(guò)程易出現(xiàn)溫漂現(xiàn)象, 材料折射率不高, 品質(zhì)無(wú)法保證; 且工藝上需要加熱, 這大大增加了鍍膜時(shí)間. 經(jīng)過(guò)伯東推薦選用國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝美國(guó)進(jìn)口 KRi 射頻離子源進(jìn)行輔助鍍膜, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.
紅外截止濾光片是一種用于過(guò)濾紅外波段的濾鏡, IRCF 利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在白玻璃, 藍(lán)玻璃或樹(shù)脂片等光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜, 其可通過(guò)實(shí)現(xiàn)近紅外光區(qū)截止以消除紅外光對(duì)成像的影響, 是高性能攝像頭的組件, 工藝上對(duì)所用的鍍膜設(shè)備有著高的要求.
KRi 射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
應(yīng)用領(lǐng)域: 光學(xué)鏡頭
薄膜工藝: IR-CUT
產(chǎn)品類(lèi)別: 紅外截止濾光片
應(yīng)用方向: 國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝 KRi 射頻離子源進(jìn)行離子清洗和輔助沉積, 實(shí)現(xiàn) IR-CUT 單面鍍膜
美國(guó) KRi 考夫曼品牌射頻離子源通過(guò)輔助鍍膜在白玻璃 IRCF 上進(jìn)行工藝升級(jí), 解決溫漂問(wèn)題, 上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過(guò)柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理.
美國(guó) KRi RFICP 射頻離子源技術(shù)參數(shù)：
型號(hào) | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽(yáng)極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶(hù)生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專(zhuān). 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
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上海伯東: 羅先生
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