LP-M-3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。

特點：

儀器所有參數設定、功能轉換全部采用輕觸按鍵輸入；具有零位、滿度自校功能；手動/自動轉換量程可選；測試結果由數字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電電池供電，適合手持式變動場合操作使用！

儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、結構緊湊、使用簡便等特點。

儀器適用于半導體材料廠、器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的手持式導電性能的測試。

探頭選配：

根據不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。配探頭，也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。

技術參數：

1. 測量范圍、分辨率

    電    阻:   0.010 ～ 50.00kΩ,     分辨率0.001 ～ 10 Ω

    電 阻 率:   0.010～ 20.00kΩ-cm，分辨率0.001 ～ 10 Ω-cm

    方塊電阻:   0.050～ 100.0kΩ/□   分辨率0.001 ～ 10 Ω/□

2. 可測材料尺寸

   手持方式不限材料尺寸，但加配測試臺則由選配測試臺決定如下：

    直    徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm。

    SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。

    長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm。.

    測量方位: 軸向、徑向均可.

3. 量程劃分及誤差等級

4) 適配器工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W，或電池供電

5) 外形尺寸：W×H×L=10cm×3.6cm×21cm

凈   重：≤0.3kg

成套組成：由主機、選配的四探針探頭等二部分組成，也可加配測試臺。

LP-M-2型手持式數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。

LP-M-2型手持式數字式四探針測試儀具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、結構緊湊、使用簡便等特點。適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。

基本技術參數

1. 測量范圍、分辨率

    電    阻：     0.010 ～ 9999Ω,    分辨率0.001 ～ 1 Ω

    電 阻 率：     0.010～ 2000Ω-cm， 分辨率0.001 ～ 1 Ω-cm

    方塊電阻：     0.050～ 2000Ω/□   分辨率0.001 ～ 1 Ω/□

2. 材料尺寸

   手持方式不限材料尺寸，但加配測試臺則由選配測試臺和測試方式決定

   直    徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm。

   SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。

   長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm。.

   測量方位: 軸向、徑向均可.

3. 量程劃分及誤差等級

4) 適配器工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W，或電池供電

5) 外形尺寸：W×H×L=18cm×7.5cm×13cm

凈   重：≤0.5kg

探頭選配：根據不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。配探頭，也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。