PECVD+RIE等離子體增強化學氣相沉積設備

儀器簡介：

該系統中的PECVD可以沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜等。標準配置射頻(RF)，可選用空陰*密度等離子體(HCD)源、感應耦合等離子體（ICP）源。最大沉積尺寸為8英寸。
使用花傘式的陰極射頻等離子源，壓盤可由射頻或脈沖直流控制，電阻加熱，循環水冷。標準配置由一路載氣和兩路反應氣組成，也可以選配流量計。

 
PECVD+RIE等離子體增強化學氣相沉積設備

設備規格：
計算機控制的高品質沉積設備；
射頻花傘噴淋頭等離子源；
最大可沉積8英寸直徑的薄膜；
RF偏壓基底夾具；
水冷平臺(water cooled platen)；
一路載氣和兩路反應氣通過流量計控制流量；
分子渦輪泵；
基本真空度10-7 Torr，200L/sec渦輪分子泵；
空氣控制閥；

技術參數：

PECVD參數：
平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直徑(Source diameter) 8英寸
氣路數(No. of gas feeds) 4(2反應氣，1載氣，1排氣)
源到平板距離(Source to platen distance) 2英寸或可以調節
最高平板溫度(Max. platen temp.) 400℃
射頻電源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz
射頻偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHz

RIE參數：
電腦控制，全能自鎖
電極： 8”
電極冷卻: 水冷
流量計MFC數量: 標配4個
RIE腔體：鋁制，13”直徑大小
工作壓力： 0.02-500 mTorr, 動態壓力控制
射頻電源： 13.5 MHz, 600 W ，帶自動調頻，
真空度 : 10-7 Torr 以上，配渦淪分子泵, Baratron and WR 真空規
N2 吹掃: 整個腔體和氣路
氣體分散: 噴淋頭式
硅片裝載Wafer Load: 手動，氣動式掀蓋放置
等離子體源Plasma Sources: 臺板射頻偏壓，可以產生-400V 偏壓

主要特點：

柜式PECVD/ RIE系統，電腦Lab View軟件控制
PECVD 等離子體源：平面噴淋頭射頻電極產生離子源
流量控制 :4個流量計（MFC） (針對 PECVD： NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O)
PECVD樣品臺Platen : 8”不繡鋼，可加熱至300C，水冷，溫度可控，可配射頻偏壓 （選配）
PECVD沉積腔尺寸 : 14” x 14” x 14” ，不繡鋼。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上
PECVD沉積腔前門可視窗口（5“直徑），手動門（8”直徑），和10“法蘭，硅片在開門后手動放置
RIE腔體尺寸： 13” 直徑，鋁材質，掀蓋式放置，氣動式開門, 工作壓力 : 0.02 to 1 Torr
鋁質射頻臺，最大至8”硅片，水冷，（冷卻器未包括，需要用戶提供）
噴淋頭式氣體分散
配加熱工作時使用Baratron真空計(用于RIE)和BOC Edwards 寬頻真空計(用于RIE & PECVD)
3個流量計（MFC），用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自動過程壓力控制
VCR接頭和 Nupro閥門 , 氮氣線吹掃，電腦控制質量流動控制器（MFC）
德國普發公司TPH261PC型200L/sec耐腐蝕渦輪分子泵和BOC公司RV12式機械泵組合使用
射頻供電： 600 W，13.5MHz 帶自動調頻。接入電源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,