真空快速退火爐RTP-材料設備
光刻機,鍍膜機,磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(功函數測量),氣溶膠設備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強氣相沉積系統(PECVD),原子層沉積系統(ALD),快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,稀釋器,濾料測試系統
真空快速退火爐RTP-材料設備
3英寸、4英寸、6英寸、8英寸真空快速退火爐系統。
應用:
RTA(快速熱退火); RTO(快速熱氧化);注入退火;擴散;化合物半導體退火;滲氮;滲硅; 結晶化與致密化;
真空快速退火爐RTP-材料設備
特點:
適用于2英寸~8英寸晶圓,高可靠性和低擁有成本。不銹鋼冷壁腔體技術; 高工藝重復性,超清潔無污染環(huán)境、 高冷卻速率低記憶效果。 可實現高達10-6 mbar的高真空環(huán)境。 高溫計和熱電偶控制,高速數字PID溫度控制器,邊緣高溫計視點保障了化合物半導體和小樣品的基座的加強溫度控制。
使用特點:
溫度范圍:RT to 1500°C;
斜坡速率:最高250°C/s;
氣體混合功能:使用質量流量控制器控制;
真空范圍:大氣壓~10-6 Torr,可配置分子泵;
本系統提供全電腦控制,應用控制軟件兼容window系統。