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深能級瞬態譜儀2-半導體表征

具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱 科睿設備有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 產地
  • 廠商性質 代理商
  • 更新時間 2024/12/9 20:24:16
  • 訪問次數 3162
產品標簽

深能級瞬態譜儀

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聯系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!


科睿設備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國外高科技儀器廠家在中國地區的代理。科睿公司一貫秉承『誠信』、『品質』、『服務』、『創新』的企業文化,為廣大中國用戶提供儀器、設備,周到的技術、服務和*的整體解決方案。在科技日新月異、國力飛速發展的中國,納米科學研究、薄膜材料(包括半導體)生長和表征、表面材料物性分析、生物藥物開發、有機高分子合成等等領域,都需要與歐美發達國家*接軌的儀器設備平臺來實現。科睿設備有限公司有幸成長在這個火熱的年代,我們愿意化為一座橋梁,見證中國科技水平的提升,與中國科技共同飛速成長。
      科睿設備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設在中國香港,在中國上海設立了分公司,在國內多個城市設立了辦事處或維修站,旨在為客戶提供*的產品和服務。2010年,科睿設備有限公司在上海設立備品倉庫及維修中心,同時提供在大陸的各項技術服務和后期的維修保障服務,我們擁有專業的應用維修人員,并且都曾到國外廠家進行了專門的培訓。上海配備了多種維修部件,能使我們的服務更加快捷和方便。我們承諾24小時電話響應,72小時內趕到現場維修。以利于更好、更快的為中國大陸服務!
      因為信任,所以理解.我們理解用戶的困難和需求。我們已經為國內眾多科研院所和大學根據用戶的要求配制和提供了上百套系統,主要用戶包括:中科院物理所,中科院半導體所,中科院大連化學物理研究所,國家納米中心,上海納米中心,北京大學,清華大學,中國科技大學,南京大學,復旦大學,上海交通大學,華東理工大學,浙江大學,中山大學,西安交通大學,四川大學,中國工程物理研究院,香港大學,香港城市大學,香港中文大學,香港科技大學等。



光刻機,鍍膜機,磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發鍍膜儀,開爾文探針系統(功函數測量),氣溶膠設備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強氣相沉積系統(PECVD),原子層沉積系統(ALD),快速退火爐,氣溶膠發生器,稀釋器,濾料測試系統

應用領域 能源,電子,電氣,綜合

深能級瞬態譜儀2-半導體表征

儀器簡介:
   美國高分辨深能級瞬態譜儀是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段!測試功能:電容模式、定電容模式、電流模式、(雙關聯模式)、光激發模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態譜、Trap profiling、俘獲截面測量、I/V,I/V(T) 、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子誘導瞬態譜、DLOS。
   測試根據半導體P-N結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態電容(△C~t)技術和深能級瞬態譜的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜,是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法,能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的溫度掃描,給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度(即能量)分布的DLTS譜,集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析,可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布。
   也可用于光伏太陽能電池領域中,分析少子壽命和轉化效率衰減的關鍵性雜質元素和雜質元素的晶格占位,確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。
   感謝中國科學院寧波材料研究所,國家硅材料深加工產品質量監督檢驗中心 南昌大學 西安電子科技大學成為此設備的專業用戶!!
   此設備在全球用戶眾多,比歐洲設備性能價格比高,是研究材料深能級領域的理想工具!!


深能級瞬態譜儀2-半導體表征

系統配置:
DLTS數據采集及分析軟件  (DLTS, ODLTS, DDLTS)
Boonton 7200型快速電容測試器
自動電容零點界面
數據采集卡及中斷箱
ODLTS穿導件
機柜安裝硬件及電纜
設備機柜
GPIB 接口卡
電腦是雙核, 2GB 內存, 19”顯示器. USB 接口, CD書寫用于數據傳輸.
可調節探針(2)
閉環液氦制冷機 (25-700K)
溫度控制器

電容測試器指標:
型號: Boonton 7200
電容零點界面: Yes
全自動電容補償: Yes
全自動范圍設置: Yes
響應時間: ~25μsec
補償范圍: 256pF
測試頻率: 1MHz
測試信號級別: 15, 30, 50, 100 mV
電容范圍: 2000pF
靈敏度: 1fF
電壓范圍: +100V to –100V (Boonton)
         +10V to –10V (數據采集卡)
靈敏度:    1mV (電壓小于 20V時), 10mV (電壓大于 20V時)
         0.3mV (數據采集卡)
脈沖寬度:  15ms to >0.1sec (Boonton內置偏壓)
          5μs to >0.1sec (數據采集卡)
脈沖幅度:   到 200V, slew rate<20V/ms (Boonton)
           到 20V, slew rate of 20V/μs (數據采集卡)
電流:       5mA

數據采集卡瞬時記錄:
采樣速率: 可至 1μs. 一般使用 >50μs  
采樣次數: >10,000.
記錄分辨率: 50ns暫時分辨率, 優于 50aF 電容分辨率
過濾: 全自動檢測及正弦噪音消除




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