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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>實驗室常用設(shè)備>其它實驗室常用設(shè)備>其它實驗室設(shè)備> 維意真空ALD原子層沉積鍍膜設(shè)備

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維意真空ALD原子層沉積鍍膜設(shè)備

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
產(chǎn)品標(biāo)簽

ALD真空設(shè)備沉積鍍膜PECVD

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公司名稱(現(xiàn)用名):北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司
公司名稱(曾用名):北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司
覆蓋區(qū)域:北京、天津、河北

 

       北京維意真空技術(shù)應(yīng)用有限責(zé)任公司,原名北京科立方真空技術(shù)應(yīng)用有限公司,創(chuàng)立于2013年,位于中國·首都北京密云經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū),主體經(jīng)營分為真空配件銷售、真空設(shè)備定制、淺藍(lán)納米科技三個部分,是北京從事真空產(chǎn)品設(shè)計、制造、銷售、維修、保養(yǎng)于一體的專業(yè)性的公司,公司擁有一支專業(yè)、優(yōu)秀的產(chǎn)品技術(shù)工程師和維修技術(shù)工程師,具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗,同時還與北京工業(yè)大學(xué)聯(lián)合研發(fā)等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),與北京交通大學(xué)聯(lián)合研發(fā)原子層沉積系統(tǒng),滿足高校、研究所的教學(xué)、科研使用,同時減少相關(guān)進口設(shè)備的*,并力爭創(chuàng)造外匯,打出中國創(chuàng)造的品牌!  


       我們的客戶遍布北京各高校和研究院所、部分*單位和電力試驗所、各級的材料、物理、化學(xué)、納米等研究領(lǐng)域*的實驗室,期待您就是我們的下一位客戶、朋友!

 

       您的滿意微笑是我們一直努力追求的經(jīng)營目標(biāo)!
       技術(shù)創(chuàng)新、業(yè)務(wù)專業(yè)、服務(wù)誠信是我們一直遵循的經(jīng)營理念!

 

       我們熱誠歡迎國內(nèi)外*的儀器制造商及科學(xué)工作者與我們聯(lián)系開展各層面的合作,打造成真空系統(tǒng)產(chǎn)品、等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)和原子層沉積系統(tǒng)供應(yīng)商。

ALD設(shè)備,PECVD設(shè)備

一、設(shè)備概述:
? ? ? ?PE-ALD等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)是專門為特殊應(yīng)用領(lǐng)域的科學(xué)研究與工業(yè)開發(fā)用戶而設(shè)計的單片沉積系統(tǒng),系統(tǒng)電氣*符合CE標(biāo)準(zhǔn);該系統(tǒng)擴展了普通原子層沉積系統(tǒng)對前驅(qū)體源的選擇范圍、提高薄膜沉積速率和降低沉積溫度,廣泛應(yīng)用于對溫度敏感材料和柔性襯底上薄膜的沉積。

二、產(chǎn)品優(yōu)勢:
? ? ? *的軟件控制系統(tǒng):系統(tǒng)集工藝配方、參數(shù)設(shè)置、權(quán)限設(shè)定、互鎖報警、狀態(tài)監(jiān)控等功能于一體.

三、技術(shù)指標(biāo):
? ? ? ?基片尺寸 8英寸及以下
? ?基片加熱溫度 室溫~500℃,控制精度±0.1℃
? ?前驅(qū)體輸運系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)3路前驅(qū)體管路,可選配
? ?前驅(qū)體管路溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃
? ?源瓶加熱溫度 室溫~200℃,控制精度±0.1℃
? ? ALD閥 Swagelok快速高溫ALD閥
? ? 本底真空 <5*10-5Torr,進口防腐泵
? ? 載氣系統(tǒng) N2或者Ar
? ? 生長模式 高速沉積模式和停留生長模式
? ? 等離子體源 300W 感應(yīng)耦合遠(yuǎn)程等離子體
? ? 等離子體放電氣源 標(biāo)準(zhǔn)3路,可選配
? ? 控制系統(tǒng) PLC+觸摸屏或者顯示器
? ? 電源 50-60Hz, 220V/20A交流電源
? ? 沉積非均勻性 非均勻性<±1%
? ? 設(shè)備尺寸 1000mm x 750mm x 1600mm

四、可沉積薄膜種類:
? ? ?? 單 質(zhì):Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
? ?氮化物:TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
? ?氧化物:TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
? ?其它化合物:GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…

五、ALD應(yīng)用實例:
? ? ? ?高K柵氧化層,存儲容性電介質(zhì),銅互連中高深寬比擴散阻擋層,OLED無針孔鈍化層,MEMS的高均勻鍍膜,納米多孔結(jié)構(gòu)鍍膜,特種光纖摻雜,太陽能電池,平板顯示器,光學(xué)薄膜,其它各類特殊結(jié)構(gòu)納米薄膜



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