ME-210-T 膜厚測量儀
- 公司名稱 北京歐屹科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 ME-210-T
- 產地 日本
- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2025/1/24 10:28:52
- 訪問次數 2613
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產地類別 | 進口 | 價格區間 | 1萬-5萬 |
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應用領域 | 電子,交通,航天,汽車,電氣 | 組成要素 | 半導體激光器產品及設備 |
高速Mapping橢偏儀(適用透明基板)ME-210-T
膜厚測量儀
適用透明基板的高速Mapping橢偏儀 ···可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布
橢偏儀為一種光學系膜厚測量裝置,膜厚測量儀這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。
ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技術,將不能變為可能,以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術下,可進行極薄膜的高精度測量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T 輕松達成。
ME-210-T的高精度膜厚分布資料,定會對先進的薄膜產品的生產有用途。
ME-210-T的特點
1, 高效的測量速度(每分約1000點:)可短時間內取得高密度的面分布數據。
2, 微小領域量測(20un左右)可簡單鎖定&測量任一微小區域。
3, 可測量透明基板
適用于解析玻璃基板上的極薄膜
的測量實例
涂布膜邊緣擴大測量
可階段性擴大微小領域,然后獲得詳細的膜厚分布數據
GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量
縮小膜厚顯示范圍,膜厚差距不大的樣品,也可以簡單評估、比較其分布狀況
的設備參數
項目 | 規格 |
光源 | 半導體激光(636nm、class2) |
小測量領域 | 廣域模式:0.5mm×0.5mm |
高精細模式:5.5um×5.5um | |
入射角 | 70『deg』 |
測量再現性 | 膜厚:0.1nm 折射率:0.001 ※1 |
大測量速度 | 1000point/min(廣域模式) |
5000point/min(高精密模式) | |
載物臺 | 行程:XY200mm以上 大移動速度:約40mm/scc |
尺寸/重量 | 約650×650×1740mm(W×D×H)/約200kg |
電源 | AC100V |
備注 | ※1:此數值是以廣域模式測量SiO2膜(膜厚約100mm)其中一點,重復測量100次后的標準偏差值 |