RoHs/鹵素（無鹵）檢測(cè)系統(tǒng)

型號(hào)X-5600

產(chǎn)品概述：

X-5600型RoHS測(cè)試儀是一種體現(xiàn)X射線熒光分析技術(shù)進(jìn)展的能量色散X射線熒光光譜儀。它采用低功率水制冷小型X光管為激發(fā)源，電制冷硅半導(dǎo)體探測(cè)器為探測(cè)單元，再加上我公司專門開發(fā)的*分析方法的應(yīng)用軟件，充分發(fā)揮各部件的優(yōu)異性能，保證了整臺(tái)儀器的高分辨率及通用適應(yīng)性。任何需要多元素同時(shí)分析的地方， 正是它大有作為之處。

主要應(yīng)用于電子 、五金、包裝等行業(yè)材料中的有害元素檢測(cè)、玩具、PVC、陶瓷等行業(yè)的鹵素（即無鹵檢測(cè)）和RoHS檢測(cè)；也可用于電鍍行業(yè)的鍍層分析、玻璃、皮革等行業(yè)及質(zhì)檢商檢機(jī)構(gòu)。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1.無損檢測(cè)：無需制樣，無損、快速分析

2.儀器雙箱體結(jié)構(gòu)：有效屏蔽干擾，增加儀器整體穩(wěn)定性,保障測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確

3.三重防輻射系統(tǒng)：樣品倉打開，X光管快門自動(dòng)閉鎖；更換樣品時(shí)X光管自動(dòng)切斷電壓電流；儀器多層屏蔽艙蓋，有效防止X射線外溢

4.銀銅雙峰位自調(diào)系統(tǒng)：銀、銅雙峰位同時(shí)自動(dòng)校準(zhǔn)，當(dāng)儀器峰位發(fā)生偏移時(shí)，隨時(shí)修正工作曲線，軟件可自動(dòng)調(diào)整并恢復(fù)儀器到正常測(cè)量狀態(tài)，避免系統(tǒng)偏差帶來誤差，隨時(shí)保證測(cè)量數(shù)據(jù)精準(zhǔn)（同行業(yè)中*采取軟件雙峰位全自動(dòng)調(diào)整系統(tǒng)）；

5.溫度控制系統(tǒng)：內(nèi)部采用風(fēng)冷、水冷，油冷三重冷卻系統(tǒng)，zui大限度降低X光管工作溫度，有效延長(zhǎng)X光管使用壽命，且保證儀器長(zhǎng)時(shí)間工作穩(wěn)定，測(cè)量精度更準(zhǔn)確；

6.操作軟件：開放式操作軟件，用戶可根據(jù)自己的需求進(jìn)行二次開發(fā)，實(shí)現(xiàn)儀器的zui大效用，使一機(jī)多能；

7.報(bào)告格式：輸出報(bào)告格式可根據(jù)用戶要求獨(dú)立設(shè)計(jì)，用戶也可以自行二次開發(fā)

8.定量分析方法：基本參數(shù)法、理論Alpha系數(shù)法、經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法、多元回歸法等（國內(nèi)同行業(yè)*采取此類綜合計(jì)算方法）；

9.定性分析方法：元素自動(dòng)尋峰、Kl譜線標(biāo)記法、譜峰比對(duì)法等

10.分析強(qiáng)度計(jì)算方式采用，毛強(qiáng)度、凈強(qiáng)度、解譜、峰背比及內(nèi)標(biāo)比，根據(jù)不同條件可選擇zui適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度計(jì)算方式。

11.鍍層檢測(cè)功能：可對(duì)不同基體上的不同金屬鍍層進(jìn)行多層檢測(cè)

12.選配：可選配移動(dòng)平臺(tái)，方便物體移動(dòng)，多點(diǎn)檢測(cè)

技術(shù)參數(shù)：

1、元素分析范圍：從鋁（13號(hào)元素）—鈾（92號(hào)元素）；

2、含量分析范圍：1mg/Kg - 10^6mg/Kg（1ppm=1 mg/Kg）

3、測(cè)量樣品型態(tài)多樣：固體、粉末、液體；

4、測(cè)量時(shí)間:快速檢測(cè)模式2秒，正常檢測(cè)模式30-180秒，可由用戶自由選擇

5、分析檢出限：

鉻Cr的檢出限是2.1ppm；

汞Hg的檢出限是3.2ppm；

鉛Pb的檢出限是1.2ppm；

溴Br的檢出限是0.3ppm；

鎘Cd的檢出限是5.8ppm

氯Cl的檢出限是12.6ppm

針對(duì)三星內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)，加測(cè)銻Sb元素，檢出限4.3ppm

6、激發(fā)源：采用低能耗大功率 X 射線管，zui高電壓50kV，zui大電流1mA；

7、濾波系統(tǒng)+準(zhǔn)直器：10種濾波片與5種準(zhǔn)直器自動(dòng)切換組合系統(tǒng)，提升檢測(cè)范圍和精度，并對(duì)不同元素采用有針對(duì)性的檢測(cè)條件

8、高壓電源：zui大50W，50KV，1mA；

9、探測(cè)器：美國*Amptek公司電制冷X-123 SIPIN半導(dǎo)體探測(cè)器；

10.探測(cè)面積：6mm2

11、分辨率：55Fe的能量為5.9Kev的MnKα線，分辨率優(yōu)于129eV；對(duì)于12us的形成時(shí)間，半高寬為129eV

12.硅活化區(qū)厚度：500μm  

13.探測(cè)器窗口：鈹窗，12.5μm厚

14.重復(fù)測(cè)量穩(wěn)定性：10次連續(xù)測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于0.05%

15、多道分析器：2048道；

16、攝像頭：CCD光學(xué)鏡頭；

17、樣品成像定位系統(tǒng)：內(nèi)置自感光500萬像素?cái)z像頭及定位軟件，方便樣品的局部定位測(cè)量；

18、工作電源：交流 220V/50Hz

19、樣品倉尺寸：345×335×120（mm）

20、外型尺寸：600×520×370（mm）

21、儀器重量：約39公斤

22、工作環(huán)境溫度：18℃—28℃

23、工作環(huán)境相對(duì)濕度：≤70%

安全對(duì)比數(shù)據(jù)說明：

比對(duì)數(shù)據(jù)：

表一、歐標(biāo)EC681K測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比：                                       （單位：mg/Kg）

表二、歐盟標(biāo)樣EC681K、EC680K測(cè)量結(jié)果：                               （單位：mg/Kg）

輻射安全報(bào)告

依據(jù)《X射線衍射儀和熒光分析儀衛(wèi)生防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)》GBZ115-2002，空氣比釋動(dòng)能率低于2.5μSv/h對(duì)人體不夠成傷害。