實時原位薄膜應力儀：同樣采用*的MOS技術，可裝在各種真空沉積設備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長過程中的應力變化進行實時原位測量和二維成像分析；

技術參數：

薄膜應力測量系統，薄膜應力測試儀，薄膜應力計，薄膜應力儀，Film Stress Tester, Film Stress Measurement System;

1.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍：200mm；300mm (XY)（可選）；

2.XY雙向掃描速度：zui大20mm/s；

3.XY雙向掃描平臺掃描zui小步進/分辨率：2 μm ；

4.薄膜應力測量范圍：5×10⁵到4×10¹⁰dynes/cm²（或者5×104Pa to 4×109Pa）；

5.薄膜應力測量分辨率：優于0.1MPa;

6.測量精度：優于±0.1%；

7.測量重復性：優于0.1%；

8.平均曲率分辨率：< 2e-5 (1/m) 1-sigma (100km radius) ；

9.平均曲率重復性：<2×10e-5 1/m；

主要特點：

1.程序化控制掃描模式：單點掃描、選定區域、多點線性掃描、全面積掃描；

2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應力2D成像分析； 
3.測量功能：薄膜應力、翹曲、曲率半徑等；
4.支持變溫熱應力測量功能，溫度范圍-65C to 1000C；
5.薄膜殘余應力測量；