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化工儀器網>產品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>其它半導體行業(yè)儀器設備>少子壽命測試儀>GDW3-LT1C 高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 型號:GDW3-LT1...

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GDW3-LT1C 高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 型號:GDW3-LT1C

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雜質度過濾機,工業(yè)鍋爐水位報警裝置,直讀式礦漿濃度計,粉體綜合特性測試儀

高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5~6000μs ρ>0.1Ω•cm 型號:GDW3-LT1C
 
貨號:ZH410

太陽能 硅片壽命 配已知壽命樣片、配示波器

產品簡介
1、用途
用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶的重要檢測項目。
2、  設備組成
2.1、光脈沖發(fā)生裝置
重復頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關斷時間<1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)   脈沖電流:5A~20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、高頻源
頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出功率>1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應:2Hz~2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器:頻帶寬度不低于10MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調。
3、測量范圍
可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥0.1Ω·㎝(歐姆·厘米)
壽命值的測量范圍:5~6000μs(微秒)

 


 



 



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