化學氣相沉積（CVD）是目前制備石墨烯的zui有效、也是研究價值的方法。搭建一套完整而高效的石墨烯化學氣相沉積系統并非易事，即使在系統搭建完成后，要真正制備出單層石墨烯，還需要較長時間的參數優化。這往往使得科研人員錯過了*的研究時機。

　　G－CVD石墨烯化學氣相沉積系統由廈門烯成新材料科技有限公司與國內*石墨烯研究機構合作開發，提供完整的石墨烯生長系統，同時提供石墨烯轉移及測試的解決方案。G-CVD系統兼容真空及常壓兩種主流的生長模式，采用計算機自動控制，系統內置了多種制備石墨烯的生長參數，用戶只需簡單操作，就可以輕松的制備出高質量的石墨烯。采用該系統，可以制備出毫米尺寸的石墨烯大單晶，也可以制備出數十厘米尺寸的石墨烯連續薄膜，還能生長13C同位素石墨烯。將為科研人員提供大量的研究機會，以及為實現各種科學想法創造了條件。

 

 

 

　　G-CVD系統是一套完備的石墨烯制備系統，包括硬件和軟件部分。工作在常壓氣氛或真空條件，通過控制，可以在10-3 Torr ~ 760 Torr之間的任意氣壓下進行石墨烯的生長。既可以生長出六邊形的石墨烯單晶，也可以生長出花瓣狀的石墨烯的單晶。

 

　　整個石墨烯生長過程的重要參數由計算機進行精確控制，包括溫度、氣體流量等。控制軟件內置多種生長優化參數，用戶僅需將襯底放入樣品腔，即可開始生長。

 

　　采用特殊優化的生長條件，可以得到尺寸達數毫米的單疇單晶。在多晶薄膜方面，可以制備得到數十厘米尺寸的單層石墨烯薄膜。

 

　　G-CVD系統有13C同位素選項，交替生長不同同位素石墨烯， 用于研究石墨烯生長的動力學過程。