CP-4是世界zui通用和的臺式化學機械拋光設備（CMP），可以很好的滿足您的研發需求。*軟件控制，可以對直徑4英寸的晶圓和磁盤進行拋光。 CETR-CP-4可檢測原位摩擦力，摩擦系數，溫度，下壓力，磨損，聲發射等，可以模擬所有的參數，如速度，負載和流量，來模仿一個大的CMP系統。

用于化學機械拋光的研究和開發的各個方面

•測試和開發各種不同的微粒，材料，濃度，氧化劑，抑制劑等的拋光液

•測試和開發不同的材料，溝槽形狀，尺寸，彈性，壽命等

•測試和發展拋光墊調節裝置來優化拋光墊的損耗率，修整，效率等

•開發CMP定位環材料來優化摩擦，磨損，壽命等

•測試去除率，重復性缺陷，工藝優化等，研究或開發各種應用的各種材料

•半導體方面 - 銅，Ta, TaN, Al, Si, SiO, Ru, WC, solar cells, PVD, CVD, 薄膜等

•化合物半導體 - 砷化鎵，銦，磷化物，汞，鎘

•應用生物材料 - 牙，骨，鈦，鋼鐵制品等。

•光電材料 – LED，藍寶石，紅外窗口拋光激光材料，顯微鏡頭，微光學，鈮酸鋰，鉭酸鋰，磷酸氧鈦鉀等。

同時實時監測及處理

•通過在晶圓墊和調節墊界面處的擁有的傳感器，測量負載和摩擦力，

•通過在晶圓墊和調節墊界面處的擁有的傳感器和放大器，測量接觸噪聲

•使用聲波表征的缺陷、劃痕，并在加工過程中分層

•監測流入的拋光液，拋光片表面和流出廢液的溫度