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400-820-5046
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2025
04-112025
04-10DSC 4000差示掃描量熱儀測試有機(jī)太 陽能電池活性層材料
前言有機(jī)太陽能電池（OSCs）是一種將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的新型光伏技術(shù)，一般采用透明電極/光活性層/金屬電極的三明治夾心結(jié)構(gòu)。其中，活性層是有機(jī)太陽能電池最重要最核心的組成部分，是決定電池轉(zhuǎn)換效率高低的重要因素之一，通常由p-型共軛聚合物給體和n-型半導(dǎo)體受體材料共混制備。有機(jī)聚合物太陽能電池是以有機(jī)聚合物材料為活性層，可與柔性襯底很好的結(jié)合，具有材料來源廣、重量輕、制備工藝簡單、柔性等優(yōu)良特點(diǎn)而成為人們近年來的研究熱點(diǎn)。使用共軛聚合物作為電子給體，富勒烯及其衍生物作為電子受體的聚合物/富勒烯太陽2025
04-092025
04-08新興太陽能電池技術(shù)的挑戰(zhàn)和趨勢-熱分析和聯(lián)用技術(shù)
太陽能行業(yè)面臨著復(fù)雜的政治鏈障礙。從材料短缺到關(guān)稅等現(xiàn)實(shí)存在以及、監(jiān)管和供應(yīng)可能出現(xiàn)的挑戰(zhàn)往往被用作駁斥太陽能有效性的論據(jù)的基礎(chǔ)。光伏效應(yīng)最早于19世紀(jì)由法國物理學(xué)家Edmond室研制出第一個實(shí)用的硅太陽能電池Becquerel發(fā)現(xiàn)。1954年，貝爾實(shí)驗(yàn)1。然而，由于研發(fā)時間不足太陽能電池效率低下和技術(shù)尚不完善。2020年以來，太陽能已成為地球上便宜的可再生能源。國際可再生能源機(jī)構(gòu)2指出，近三分之二（62%）的風(fēng)能和太陽能等可再生能源比便宜的新礦物燃料價格更低。能農(nóng)場正在取得業(yè)務(wù)進(jìn)展太陽能領(lǐng)域的2025
04-072025
04-03使用NexION 5000 ICP-MS對超純水中的雜質(zhì)進(jìn)行快速 超痕量分析
簡介超純水（UPW）在半導(dǎo)體行業(yè)中應(yīng)用廣泛，而雜質(zhì)會對半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量和總產(chǎn)量產(chǎn)生直接影響。因此，需要對雜質(zhì)進(jìn)行控制。電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS)能夠精確定量低濃度元素，因此常被用于定量雜質(zhì)的sub-ppt濃度。隨著超純水在半導(dǎo)體設(shè)備制造中的廣泛應(yīng)用，許多實(shí)驗(yàn)室需要在相對較短的時間內(nèi)得出sub-ppt檢出限，以便快速對超純水中的雜質(zhì)作出響應(yīng)。為滿足此類需求，必須先解決干擾問題，因?yàn)楦蓴_會影響超低濃度雜質(zhì)的檢出能力，并縮短樣本到樣本的運(yùn)行時間。在ICP-MS中，顯著的干擾形式通常是多原子離2025
04-022025
03-31多重四級桿電感耦合等離子體質(zhì)譜儀 (NexION 5000)對 9.8% 硫酸的分析
1.前言在半導(dǎo)體工藝中，硫酸（Sulfuricacid,H2SO4）與過氧化氫等氧化劑一同用于去除晶片加工工藝（該工藝采用高分子有機(jī)成分）后，表面殘留的有機(jī)成分，且根據(jù)所采用的工藝特性，需要所含的無機(jī)雜質(zhì)含量低于ppt（萬億分之一）級別的超高純度產(chǎn)品。目前國內(nèi)半導(dǎo)體工藝中使用的硫酸產(chǎn)品為含量為96~98%，其無機(jī)成分雜質(zhì)含量級別約為10ppt左右。對這種超高純度硫酸中所含的無機(jī)成分超痕量分析時，應(yīng)用普遍的是電感耦合質(zhì)譜儀(InductivelyCoupledPlasma-MassSpectrom2025
03-282025
03-27采用UV-DSC8000 表征光學(xué)膠的 紫外固化過程
引言：光學(xué)粘合劑在很多不宜使用有機(jī)溶劑的行業(yè)中都有廣泛應(yīng)用。例如，半導(dǎo)體和芯片制造商不允許有機(jī)溶劑沉積在器件上。紫外光源聯(lián)用差示掃描分析儀技術(shù)（UV-DSC）可以快速分析光固化過程，并且測定固化反應(yīng)的能量。由于光引發(fā)反應(yīng)速度快且活性高，良好的溫度控制和響應(yīng)能力對于獲得準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)是必需的。功率補(bǔ)償型儀器是這類應(yīng)用的選擇。實(shí)驗(yàn)無蓋樣品盤一般可以用于UV-DSC實(shí)驗(yàn)，本實(shí)驗(yàn)使用標(biāo)配石英蓋的定制DSC樣品盤。樣品首先被加熱或冷卻到恒溫溫度并達(dá)到平衡狀態(tài)。通過Pyris™軟件觸發(fā)照射到樣品表面的紫外光源快2025
03-262025
03-262025
03-25TMA 4000 在電子工業(yè)領(lǐng)域中使用標(biāo)準(zhǔn)測試方法的應(yīng)用
背景：電子線路板的主要破壞原因之一是由熱膨脹引起的問題。要防止這種情況發(fā)生，電子工程師采用熱導(dǎo)體來發(fā)散熱量，用低膨脹性材料來配合低膨脹率的硅片和陶瓷絕緣體的使用。熱機(jī)械分析(TMA)長期以來應(yīng)用于測量線路板、電子元件和組成材料的熱膨脹(CTE)。針對玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、熱膨脹系數(shù)變化的點(diǎn)、樣品軟化和應(yīng)力釋放效應(yīng)的發(fā)生，已經(jīng)建立起成熟可靠的標(biāo)準(zhǔn)測試方法。對于層狀復(fù)合產(chǎn)品，TMA相應(yīng)的測試方法可以確定在評估升溫過程中材料的分層所需時間。TMA4000的設(shè)計(jì)大大簡化了上述測試過程，非常適用于測量低膨脹率的2025
03-242025
03-202025
03-19NexION 5000 ICP-MS測試硝酸稀釋液中超痕 量的磷、硫、硅及碘
1.前言采用PerkinElmer的UCT技術(shù)（通用池技術(shù)），進(jìn)一步強(qiáng)化DRC（動態(tài)反應(yīng)池）功能的NexION5000ICP-MS是目前既先進(jìn)，性能優(yōu)異的，市面上多重四級桿ICP-MS（QQQQ）。不僅用于控制多原子干擾，還有比其他串接四級桿更強(qiáng)大的質(zhì)量轉(zhuǎn)移分析功能，適用于特殊的應(yīng)用。本應(yīng)用利用NexION5000QQQQ-ICP-MS，確認(rèn)在硝酸介質(zhì)中磷、硫、硅、氯、砷、硒、溴、碘等非金屬性元素的檢測能力。上述元素的檢測在普通ICP-MS系統(tǒng)中比較困難，因?yàn)槿ルx子水和硝酸稀釋液中的氮、氧、碳成2025
03-18利用NexION 2000 ICP-MS對半導(dǎo)體級鹽酸中的雜質(zhì)進(jìn)行分析
引言在半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)過程中，許多流程中都要用到各種酸類試劑。其中最重要的是鹽酸（HCl），其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導(dǎo)體設(shè)備尺寸不斷縮小，其生產(chǎn)中使用的試劑純度變得越來越重要，這是因?yàn)榧词故巧倭侩s質(zhì)也會導(dǎo)致設(shè)備的失效。國際SEMI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的是金屬雜質(zhì)的最大濃度（SEMI標(biāo)準(zhǔn)C27-07081用于鹽酸），而半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)商對雜質(zhì)濃度的要求往往更加嚴(yán)格，這樣就給試劑供應(yīng)商帶來了更大的挑戰(zhàn)。其結(jié)果是，分析儀器也必須能夠?qū)Ω蜐舛鹊碾s質(zhì)成分精確檢測。電感耦合等2025
03-17如何進(jìn)行PerkinElmer紫外分光光度計(jì)的日常維護(hù)？
進(jìn)行PerkinElmer紫外分光光度計(jì)的日常維護(hù)，是確保其長期穩(wěn)定運(yùn)行和準(zhǔn)確測量的關(guān)鍵。以下是一些具體的日常維護(hù)步驟和建議：一、清潔與除塵1.外部清潔：定期用干凈的軟布擦拭儀器表面，去除塵土和污漬。注意避免使用有腐蝕性的清潔劑或粗糙的布料，以免損傷儀器表面。2.內(nèi)部清潔：按照說明書的要求，定期清理反射鏡、透鏡、密封條等光學(xué)元件。使用專業(yè)的擦紙擦拭，避免用手直接接觸。污染嚴(yán)重的光學(xué)元件應(yīng)及時更換。3.防塵措施：使用后，用防塵罩覆蓋整個儀器，并放置在陰涼干燥的地方。定期更換干燥劑，以避免單色器盒的2025
03-17利用單顆粒ICP-MS在反應(yīng)模式下測定半導(dǎo)體有機(jī)溶劑中的 含鐵納米顆粒
簡介半導(dǎo)體產(chǎn)品中的金屬污染使產(chǎn)品品質(zhì)降低。半導(dǎo)體寬度越小，對金屬污染物的容忍度越低。最常見的金屬污染是過渡金屬元素和堿金屬元素。過渡金屬元素往往遍布半導(dǎo)體材料中并在表面形成多多種氧化物，其中鐵是最常見的污染物。單顆粒ICP-MS已成為納米顆粒分析的一種常規(guī)手段，采用不同的進(jìn)樣系統(tǒng)，能在100-1000顆粒數(shù)每毫升的極低濃度下對納米顆粒進(jìn)行檢測、計(jì)數(shù)和表征。除了顆粒信息，單顆粒ICP-MS還可以在未經(jīng)前級分離的情況下檢測溶解態(tài)元素濃度1。許多文獻(xiàn)表明單顆粒ICP-MS可以在各種基質(zhì)條件下對納米顆粒2025
03-14NexION 300S ICP-MS測定硅晶 片中的雜質(zhì)
引言控制硅基半導(dǎo)體器件中的雜質(zhì)含量是至關(guān)重要的，因?yàn)榧词故浅哿康碾s質(zhì)（包括堿和堿土元素、過渡金屬）都可能會導(dǎo)致器件發(fā)生缺陷，如擊穿電壓或高暗電流。出于質(zhì)量控制的目的，常規(guī)分析的硅主要有兩種類型：體硅和硅晶片表面。對體硅的分析可以使用一種非常強(qiáng)的酸將硅消解，如氫氟酸（HF）。硅晶片表面的分析常用的方法是氣相分解，包括使用極少量的酸（通常是HF）滴一滴在表面收集晶圓表面上的雜質(zhì)。這樣得到的樣品體積通常約為200μL。體硅的分析不存在樣品體積的問題，但是為了盡量減少樣品前處理耗費(fèi)的時間，還是需要較小掃一掃訪問手機(jī)商鋪
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