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TOF-SIMS在聚合物薄膜和涂層的光譜分析2024/10/23

飛行時間二次離子質譜（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry，TOF-SIMS）是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,這些帶電粒子經過質量分析器后就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。SIMS用于在超高真空條件下分析固體樣品中元素、分子和同位素的分布和相對濃度，是zui靈敏的表面分析技術之一。SIMS可用于成像、光譜分析和深度剖面/三維分析。光譜分析模式可用于評估聚合物涂層的組成及其橫向均勻性，同

TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜儀-技術解讀2024/10/23

什么是TOFSIMS?它可以應用于哪些領域？能提供哪些信息？哪些樣品適用（哪些不適用）？在這一系列文章中，我們將解答所有這些問題，以及更多探討。飛行時間二次離子質譜法（ToFSIMS）是一種用于研究固體表面和薄膜的三維化學組成的表面分析技術。聚焦的一次離子束轟擊目標表面，產生中性原子/分子、二次離子和電子。二次離子通過飛行時間質譜儀進行收集和分析。質譜儀通過精確測量離子到達探測器所需的時間(即“飛行時間”)來測量離子的質荷比(m/z)。通過掃描一次離子束在樣品表面的區域，可以逐像素形成表面的化學

二次離子質譜儀不同質量分析器的區別2024/09/13

二次離子質譜法是一種高效的分析技術，利用化合物的離子化過程及其質量分析，以確定待測化合物的分子量、分子式和結構特征。質譜儀作為該方法的重要組成部分，通過將離子的質量進行有效分離，并依據電荷與質量比率輸出至檢測器，在此被探測并轉換為數字信號。簡介在質譜分析中，有三種常見的質譜儀離子分析器可用于離子的分離。四極桿質譜儀飛行時間質譜儀磁扇形質量分析儀四極桿質譜儀直流偏壓會使所有帶電分子加速并遠離中心線，其速度與它們的電荷與質量比成正比。當這些分子的軌跡偏離過大時，它們將撞擊金屬棒或容器的側壁并被吸收。

TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜儀離子源的選擇2024/08/29

TOF-SIMS（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry）飛行時間二次離子質譜儀的基本組件包括一次離子束，和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行時間質譜儀進行分析使用。鉍基液態金屬離子槍（LMIGs）是商業ToF-SIMS中常用的離子源。與金等其他LMIG源相比，鉍基離子源可以在較低的溫度下工作，并能產生用于分析的離子簇（例如Bi3+）。這些離子束可以緊密聚焦，以實現高空間分辨率(亞表面分析可通過在雙束模式操作來實現，包括交替使用用于分析的

使用TOF-SIMS進行材料研究2024/08/13

靜態SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術，能在只消耗樣品單層一小部分的情況下，獲得詳細的質譜圖。被分析的分子來自固體表面前幾層，這對于探討材料關鍵區域例如附著力或催化等性質至關重要。Kore公司的TOF-SIMSSurfaceSeer系列產品為科研和工業領域提供了高性價比的表面分析解決方案。以下數據展示了SurfaceSeer儀器在材料研究和分析方面的一些優勢。實驗質量分辨率和準確性圖1.污染鋁接頭近來，儀器的質量分辨率和準確度均已經提高到2000（M/ΔM）以上。上圖展示了從一個污染鋁探針采集

TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜的技術能力2024/08/06

飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS）是一種表面分析技術，它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面，在濺射過程中產生二次離子。分析這些二次離子可提供有關樣品表面的分子、無機和元素種類的信息。例如，如果表面吸附了有機污染物（如油），TOF-SIMS將揭示這些信息，而其他技術則難以實現，特別是在污染物含量極低的情況下。由于TOF-SIMS是一種測量技術，因此通常可以檢測到元素周期表中的所有元素，包括H。此外，這種分析可以提供質譜信息;樣品上XY維度的圖像信息;以及Z方向的深度剖面信息到樣品中。工作原理飛行

揭秘遠程微波PECVD系統簡介2022/08/31

Nano-Master的遠程微波等離子體化學氣相沉積（PECVD）系統應用范圍廣泛，包含：基片或粉體的等離子誘導表面改性等離子清洗粉體或顆粒表面等離子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和石墨烯的選擇性生長單晶或多晶金剛石生長微波模塊：NANO-MASTER高質量長壽命遠程微波源，頻率為2.45GH，微波發射功率可以自主調節，微波反射功率可通過調節降低至發射功率的千分之一以內。遠程微波源，可實現無損傷缺陷的沉積或生長。設備腔體：水冷側壁，確保在高溫工藝下腔體外表面溫度控制在60℃內；

揭秘微波等離子去膠機2022/08/23

主要用途：MEMS壓力傳感器加工工藝中光刻膠批量處理；去除有機或無機物，而無殘留；去膠渣、深刻蝕應用；半導體晶圓制造中光刻膠及SU8工藝；平板顯示生產中等離子體預處理；太陽能電池生產中邊緣絕緣和制絨；先進晶片(芯片)封裝中的襯底清潔和預處理；工作原理介紹：為了產生等離子，系統使用遠程微波源。氧在真空環境下受高頻及微波能量作用，電離產生具有強氧化能力的游離態氧原子，它在高頻電壓作用下與光刻膠薄膜反應，反應后生成的CO2和H2O通過真空系統被抽走。CF4氣體可以達到更快速的去膠速率，尤其對于難以去除

帶你一文領略磁控濺射2022/07/27

主要功能：主要用于半導體應用，及各種需要進行微納工藝濺射鍍膜的情形。可以用于金屬材料（金、銀、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應濺射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及對溫度敏感的有機柔性基片等。工作原理：通過分子泵和機械泵組成的兩級真空泵對不銹鋼腔體抽真空，當廣域真空計顯示的讀數達到10-6Torr量級或更高的真空時，主系統的控制軟件通過控制質量流量計精確控制Ar氣體(如需要濺射氧化物薄膜，可增加O2)，此時可以設定工藝所要求的真空（一般在0

我們的優勢｜離子束刻蝕2020/06/16

我們的優勢｜離子束刻蝕NANO-MASTER的離子束刻蝕系統有很強的適應性，可以根據不同的應用建立不同的結構，不同的樣品臺和離子源配置可實現不同的應用范圍。系統中的樣品臺可實現正負90°傾斜、旋轉、水冷和背氦冷卻。NM成熟的技術可控制基片溫度在50℃以內。通過傾斜和旋轉，深溝可切成斜角，通過控制側壁輪廓和徑向可提高均勻性，不同的構造不同的應用可選擇不同的選配項，也可增加濺射實現刻蝕之后的涂覆保護。應用十分廣泛。NANO-MASTER的離子束刻蝕在行業中非常有競爭力，它憑什么可以這樣脫穎而出呢？1

我們的優勢｜NRE-4000型RIE-HCP系統2020/06/12

我們的優勢｜NRE-4000型RIE-HCP系統NANO-MASTERNRE-4000型RIE-HCP系統，用于高速刻蝕硅、SiO2和Si3N4基片，通過配套HCP高密度中空陰極等離子源，系統可以支持RIE和RIE-HCP應用，提供廣泛的應用。眾多的優勢配置，使得NRE-4000型系統具有許多優勢：?超高的薄膜均勻性?良好的粘附力?超凈的沉積（高真空支持）?出色的工藝控制?高度的可重復性（計算機全自動工藝控制）?易使用（可直接調用編好的工藝程序）?運行可靠（所有核心組件均帶有保護）?低維護（完整

我們的優勢｜NLD4000型原子層沉積2020/06/12

NANO-MASTERNLD-4000型等離子增強原子層沉積系統可以提供高品質的薄膜沉積，通過配套ICP離子源系統可以支持PEALD和T-ALD等廣泛應用。眾多的優勢配置，使得NLD-4000型系統具有許多優勢：√超高的薄膜均勻性√良好的粘附力√超凈的沉積（高真空支持）√出色的工藝控制√高度的可重復性（計算機全自動工藝控制）√易使用（可直接調用編好的工藝程序）√運行可靠（所有核心組件均帶有保護）√低維護（完整的安全互鎖）√高、低溫基片樣品臺√小的占地面積26”x44”√全自動工藝控制客戶案例參數

我們的優勢｜磁控濺射2019/08/26

NANO-MASTER設計制造的磁控濺射系統在行業內有*的競爭力，設備擁有以下突出的優勢：1.計算機全自動控制的自動上下片，上面和對準的過程全部通過計算機控制，無需人工操作，并且不會損傷系統；2.全自動膜厚監控，客戶可以在軟件設定目標膜厚，整個工藝階段可以實現無人值守，無需人工介入，薄膜膜厚具有高度的重復性；3.出色的膜厚均勻度，對于6"片范圍內，濺射金屬膜時，可以達到優于+/-1%的均勻度；4.系統可以支持濺射前的等離子預清洗功能，提供優異的膜基層性能；5.系統支持預濺射，可以去除靶材的污染物

淋浴頭氣流的平面ICP離子源應用于ALD系統2017/09/14

繼NANO-MASTER*技術的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應用于NANO-MASTER的刻蝕系統，ICPECVD沉積系統，PA-MOCVD生長系統之后，該ICP離子源順利應用于ALD系統。由于該型技術設計的ICP源為平面設計的遠程等離子源，可以在更低電源下達到更高的離子密度，具有電子溫度低、離子密度高、腔體空間占比低等優勢，確保了該ALD系統具有薄膜無損傷、生長速度快、脈沖周期短（沉積效率可以達到兩倍以上）的先進性能。此外，可以實現低溫（100度以內）的薄膜生長。

進口雙模式刻蝕機的主要特點2016/03/29

進口雙模式刻蝕機全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統，帶8"ICP源。系統可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下，系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。進口雙模式刻蝕機主要特點：基于PC控制的緊湊型立柜式百級DRIE深硅刻蝕系統，擁有高縱橫比的刻蝕能力；配套LabView軟件，菜單驅動，自動記錄數據；觸摸屏監控；全自動系統，帶安全聯鎖；四級權限，帶密碼保護；自動上下載片；帶LoadLock預真空鎖；He氣背面冷卻，-60攝

全自動磁控濺射系統技術分類2016/01/23

全自動磁控濺射系統是物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，而上世紀70年代發展起來的全自動磁控濺射系統法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。全自動磁控濺射系統通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。全自動磁控濺射系統技術分類直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊

光學元件鍍膜機先進的技術介紹2015/12/29

鍍膜是用物理或化學的方法在材料表面鍍上一層透明的電解質膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變材料表面的反射和透射特性。在可見光和紅外線波段范圍內，大多數金屬的反射率都可達到78%~98%，但不可高于98%。無論是對于CO2激光，采用銅、鉬、硅、鍺等來制作反射鏡，采用鍺、砷化鎵、硒化鋅作為輸出窗口和透射光學元件材料，還是對于YAG激光采用普通光學玻璃作為反射鏡、輸出鏡和透射光學元件材料，都不能達到全反射鏡的99%以上要求。不同應用時輸出鏡有不同透過率的要求，因此必須采用光學鍍膜方法。對于CO2激光燈中紅外

干法刻蝕技術2015/08/28

干法刻蝕技術*，在芯片制造的過程中，硅片表面圖形的形成主要依靠光刻和刻蝕兩大模塊。光刻的目的是在硅片表面形成所需的光刻膠圖形，刻蝕則緊接其后地將光刻膠的圖形轉移到襯底或襯底上的薄膜層上。隨著特征尺寸要求越來越小，對光刻和刻蝕的要求也越來越高。通常一個刻蝕工藝包含以下特性：良好的刻蝕速率均勻性(Uniformity)，不僅僅是片內的均勻性(WithinWafer)，還包括片與片之間(WafertoWafer)，批次與批次之間(LottoLot)。高選擇比(HighSelectivity)，被刻蝕材

微加工：剝離2015/08/06

Lift-offprocessinmicrostructuringtechnologyisamethodofcreatingstructures(patterning)ofatargetmaterialonthesurfaceofasubstrate(ex.wafer)usingasacrificialmaterial(ex.Photoresist).Itisanadditivetechniqueasopposedtomoretraditionalsubtractingtechniquelike

微加工：光刻2015/08/06

Lithographyisthestepthatallowsthedefinitionofthepatternonthesubstrate:thankstoapolymerresist,ａndusingaradiationsexposure,itfabricatesamaskabovethematerialtobepatterned.Itisacriticalsteptogettheshapesofthemicrostructures,eitherinMEMSormicroelectronics