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復納科學儀器(上海)有限公司

11
  • 2024

    06-11

    掃描電鏡拍攝技巧|消除像散,提高樣品成像質量

    像散對掃描電鏡成像質量的影響通過之前的文章,大家了解了“加速電壓”與“束流強度”對圖像的成像質量有非常大的影響。其實除了加速電壓、樣品的導電性、電鏡的束流強度,像散、圖像的亮度對比度等都會影響掃描電鏡圖像的成像質量。今天,這一篇文章將教大家了解消除像散的重要性,提高樣品的成像質量。像散的定義可能會比較抽像,所以,小編用近視的散光來進行對比。當近視看月亮時,月亮會比較模糊,但仍是一個圓形。當近視有散光看月亮時,看到的月亮會出現變形。掃描電鏡的像散就如同散光,當圖像有像散時,在聚焦的過程中會發現圖像
  • 2024

    06-07

    設備更新|粉末原子層沉積(PALD):科研平臺建設“新質生產力”

    設備更新|粉末原子層沉積(PALD):科研平臺建設“新質生產力”隨著對科技創新的不斷重視和投入,新一輪的大規模設備以舊換政策為廣大高校和研究機構帶來了的發展機遇。高質量的科研平臺建設是提升研究水平、增強競爭力的關鍵。ForgeNano的新型粉末原子層沉積設備不僅能夠提升研究質量,還能打通產、學、研三界的橋梁,助力高校在科研的道路上邁出堅實的步伐。原子層沉積系統新型粉末原子層沉積助力高校平臺建設粉末原子層沉積,利用其平臺技術,可以在高比表面積的粉末顆粒表面構筑超薄的納米涂層或活性組分,開發多種涂層
  • 2024

    06-06

    掃描電鏡拍攝技巧(一)|如何避免掃描電鏡觀察過程中碳沉積現象

    掃描電鏡拍攝技巧|如何避免掃描電鏡觀察過程中碳沉積現象在使用掃描電鏡進行樣品觀察時,尤其是采用二次電子模式,隨著觀察時間的延長,在觀察的區域會出現一塊黑的矩形的區域。如下圖所示,對一塊空白的鋁制樣品臺進行觀察時,一段時間后降低放大倍數,發現圖像中間有一明顯的黑色矩形,我們可以簡單的稱這種現象叫做碳沉積。碳沉積主要原理:在掃描電鏡的樣品區往往存在一些碳氫化合物,被電子束轟擊后,會形成帶正電荷的碳離子。掃描電鏡觀察樣品時,電子束在微區掃描使得該區域電子較為富集,碳離子會向該區域富集并沉積下來,影響該
  • 2024

    06-05

    設備更新|掃描電鏡 SEM & 透射電鏡 TEM 離子束制樣設備

    設備更新|掃描電鏡SEM&透射電鏡TEM離子束制樣設備2024年3月1日,《推動大規模設備更新和消費品以舊換新行動方案》審議通過。會議指出,推動新一輪大規模設備更新和消費品以舊換新,是著眼于我國高質量發展大局作出的重大決策。同時指出,新一輪換新工作仍堅持標準,更好發揮能耗、排放、技術等標準的牽引作用,智能、綠色、低碳的科研儀器,將成為設備更新的主力軍。我們積極響應大規模設備更新政策,推出掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡的離子束制樣設備綜合解決方案,支持各位老師設備更新,歡迎隨時聯系我們快速獲取上報
  • 2024

    06-03

    掃描電鏡制樣:保證掃描電鏡樣品清潔有多重要?

    掃描電鏡制樣:保證掃描電鏡樣品清潔有多重要?掃描電鏡(SEM)主要用于微觀形貌分析,其測試結果的好壞,一方面是由儀器的性能、測試條件和操作人員水平決定,另一方面還與樣品制備過程有關。掃描電鏡(SEM)樣品需要保持清潔、無污染物,盡量把污染程度降到zui低。因此要求我們在拿取與制備樣品時需要佩戴干凈無粉手套,使用的剪刀、鑷子等制樣工具亦要保持干凈。保持掃描電鏡(SEM)制樣工具干凈如果在樣品制備過程中,不注意保持清潔,用裸手拿取樣品,手上的油脂灰塵會污染樣品。如下圖所示,裸手接觸干凈鋁箔表面后,可
  • 2024

    05-31

    原子層沉積(ALD)技術鋰電材料:電極粉末包覆的必要性(下)

    在上篇文章中,我們介紹了原子層沉積(ALD)方法包覆電極材料的必要性以及粉末涂層(PC)和極片涂層(DC)兩種不同的改性策略。(詳見:原子層沉積(ALD)技術在鋰電材料中的應用(一):電極粉末包覆的必要性(上))ALD方法對于電極材料的改善有目共睹,但涂層的選擇以及設備的選擇是關鍵。極片涂層依賴卷對卷設備和苛刻的低溫要求。粉末包覆更適合從源頭進行界面的改善。本篇文章我們將介紹粉末原子層沉積(PALD)工藝及其在電極材料包覆中的應用。01.“粉末原子層沉積(PALD)工藝”對于粉末樣品的ALD研究
  • 2024

    05-29

    使用低能離子精修制備高質量的鋰離子導體固態電解質透射電鏡樣品

    引言使用FIB切削獲得超薄樣片(lamella),是一種常見的塊體材料TEM制樣方法。然而,鎵離子束輻照損傷所帶來的非晶層卻像一片難以驅散的迷霧,阻礙著人們獲得更高質量的TEM照片,進而也限制了對輕元素的量化分析。可以選擇離子精修儀對FIB非晶層進行修復。Part01APPLICATIONCASES低能氬離子精修非晶層GentleMill低能離子精修儀可制備離子損傷更小、非晶層更薄的TEM樣品。最近,上海科技大學的于奕老師團隊等人使用GentleMill低能氬離子精修儀,以固態電解質LLTO為例
  • 2024

    05-28

    納米印刷沉積:助力納米技術發展,引發納米能源領域革命性變革

    納米印刷沉積:助力納米技術發展,引發納米能源領域革命性變革絕緣、傳導、反射、保溫、耐磨和防銹等材料及其特性在日常生活中發揮著重要作用,科學家們正在不斷努力改善材料的特性以制造出具備更優性能的產品。更好的隔熱效果可以降低供暖成本;更好的傳導導致更低的損耗;更好的耐腐蝕性,可實現更長的使用壽命和更低的維護要求。近幾十年來,科學家開始通過研究越來越小的顆粒即所謂的納米顆粒(通常只有幾納米大小)來控制材料的特性。在研究過程中,許多人認為:“如果能干凈地生產這些納米粒子并將它們組合成所需的成分,那么我們就
  • 2024

    05-28

    飛納臺式電鏡能譜一體機可以實現對不同類型樣品的分析

    飛納臺式電鏡能譜一體機還具有多功能性。它可以實現對不同類型樣品的分析,包括金屬材料、半導體材料、生物材料等。同時,它還可以實現不同模式的觀測,如透射電鏡模式、掃描電子顯微鏡模式等。這種多功能性使得其在科研領域中應用廣泛,可以滿足不同領域研究的需求。另外,飛納臺式電鏡能譜一體機還具有高效率的特點。它可以實現實時觀測和分析,無需樣品準備和處理,節省了研究人員的時間和精力。而且,它的操作簡單方便,不需要復雜的操作步驟和專業知識,即使對于初學者也容易上手。這種高效率使得科研工作者可以更快地獲取實驗數據,
  • 2024

    05-27

    應用分享:原位透射電鏡熱電樣品桿助力固態氧化物燃料電池研究

    應用分享:DENS原位透射電鏡熱電樣品桿助力固態氧化物燃料電池研究通過在環境透射電鏡中使用DENSLightning原位熱電樣品桿,新加坡南洋理工大學的MartialDuchamp博士和他的合作者以原子級分辨率觀察了固態氧化物燃料電池的工作情況,進而建立了氧分壓、氫分壓、溫度、電池開路電壓和微觀結構變化之間的直接關系。一、引言研究人員通過將負極-電解質-正極電池以單室配置的方式與Lightning熱電樣品桿相連接,研究了不同氧氣/氫氣比例對鎳催化劑形態的影響,并監測了在600°C的高溫下電池開路
  • 2024

    05-24

    掃描電鏡的基本原理詳細介紹下

    掃描電鏡是一種將物質表面形貌放大成圖像的高分辨率成像技術,它采用電子束掃描樣品表面,誘發樣品表面與電子束相互作用后所產生的多種信號,利用這些信號進而形成圖像。掃描電鏡可觀察材料表面形貌、成分分析和結構表征、宏觀形貌等方面,具有高分辨率、分析功能以及適用范圍廣等優勢。因此,掃描電鏡已經成為表面形貌研究和材料科學等領域的重要工具。掃描電子顯微鏡(SEM)是一種介于透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品,通過光束與物質間的相互作用,來激發各種物理信息,對這
  • 2024

    05-23

    為什么使用原子層沉積(ALD)方法對電極材料進行包覆是必要的?

    為什么使用原子層沉積(ALD)方法對電極材料進行包覆是必要的?鋰電池電極由各種類型的粉末制備合成,對粉末材料表面進行包覆已經成為提高電池性能的有效策略。尤其在固態電池中,固體電解質顆粒(SSA)和電極組合之間的界面兼容性問題仍然存在,通過界面涂層可有效地解決這一問題。因此,電極表面工程作為一項新興技術,有望提高電池的性能和安全性。原子層沉積(ALD)技術已被證明是在亞納米尺度上制造無機薄膜的高效方法,可在平面甚至高曲率的顆粒表面控制薄膜厚度以及均勻性。原子層沉積(ALD)包覆能保證超薄的均勻涂層
  • 2024

    05-22

    飛納臺式電鏡能譜一體機是現代科研領域中不可少的工具之一

    飛納臺式電鏡能譜一體機是一種具有高精度、高效率和多功能性的先進科學儀器。它將電鏡和能譜儀兩種功能整合在一起,可以同時實現樣品表面形貌和組成分析,是現代科研領域中不可少的工具之一。飛納臺式電鏡能譜一體機的主要優勢在于它的高分辨率和高靈敏度。電鏡部分可以實現對樣品表面微觀形貌的觀測,可以清晰看到樣品表面的微觀結構、表面粗糙度等信息。而能譜儀部分可以實現對樣品組成的分析,可以準確測定樣品中各種元素的含量和位置分布。通過電鏡和能譜儀的有機結合,研究人員可以了解樣品的特性和性能。延長飛納臺式電鏡能譜一體機
  • 2024

    05-20

    顯微CT無損檢測技術,在增材制造和粉末冶金領域發揮什么作用?

    隨著科技的飛速發展,顯微CT技術在各個領域的應用愈發廣泛,尤其是在增材制造和粉末冶金領域。顯微CT技術以其高分辨率、非破壞性的特點,為微觀層面的材料結構和缺陷分析等提供了解決方案,為增材制造和粉末冶金行業的發展注入了新的活力。Part01.什么是顯微CT?顯微CT技術利用X射線照射樣品,通過探測器記錄透射的X射線強度分布,再利用計算機算法重構出樣品的三維內部結構。其能夠在非破壞的情況下,提供高分辨率和三維圖像。顯微CT結構示意圖:射線源和探測器不動,樣品臺旋轉顯微CT技術可以無損地提供詳細的材料
  • 2024

    05-17

    掃描電鏡論文賞析-干旱影響楊樹葉片及次生木質部發育的分子機制

    掃描電鏡論文賞析論文標題:ThetranscriptionfactorPtoMYB142enhancesdroughttoleranceinPopulustomentosabyregulatinggibberellincatabolism(PtoMYB142通過調控赤霉素代謝增強楊樹抗旱性的研究)使用儀器:飛納臺式掃描電鏡發表期刊:thePlantJournal因全球變暖增大了樹木因干旱而死亡的生態壓力,推動著樹木節水策略的演變。盡管植物激素與對缺水的形態適應有關,但木本植物中這些過程的分子機制
  • 2024

    05-16

    【納米顆粒制備技術】干法氣溶膠納米打印技術可以用在哪些領域

    上一篇文章我們簡單的認識了干法氣溶膠納米打印技術,一種基于氣溶膠的直寫方法能夠實現無機納米結構材料的打印直寫。那么本篇文章我們來簡單介紹一下干法氣溶膠納米打印技術可以用在哪些領域?使用納米印刷沉積系統,可以自動的打印不同成分和/或層厚的納米多孔材料。在電催化、氣體傳感器和SERS領域具有高通量篩選價值。采用高通量的篩選方法可以將新材料開發所需的時間從幾個月縮短到幾天,大大加速了材料開發過程。1.電催化當前,許多性能好的電催化劑均采用昂貴的貴金屬基材料。而為了使電化學過程具有可擴展性和商業可行性,
  • 2024

    05-15

    【納米顆粒制備技術】干法氣溶膠納米打印技術,加速材料研發進程

    增材制造的方法,如納米打印可以大大簡化高比表面積的納米多孔薄膜的制備工藝。這種薄膜材料的應用很多,包括電催化、化學、光學或生物傳感以及電池和微電子產品制造等。因此,一種基于氣溶膠的直寫方法能夠實現無機納米結構材料的打印直寫。印刷涂層的顆粒由納米粒子發生器產生,經火花燒蝕產生的氣溶膠顆粒其典型粒徑在20nm以下,且不含表面活性劑或任何其他有機添加物質。納米粒子生產和印刷沉積的整個過程是自動化的,不需要進行后續有機成分的熱處理去除。納米印刷沉積系統工作原理VSP-G1納米粒子發生器(VSP-G1)作
  • 2024

    05-14

    臺式場發射掃描-透射(SEM—STEM)電子顯微鏡應用案例分享

    在材料研發的過程中,檢測材料的形貌細節和品質,需要各個方位地了解樣品。掃描電鏡是科學研究過程中強有力的表征工具,高分辨成像可以揭示材料細節。現在一些比較好的掃描電鏡可以提供一種先進的成像技術--透射模式(Scanningtransmissioneletronmicroscopy,STEM),這種成像模式可以呈現出與SEM圖像不同的信息。STEM模式和SEM成像效果有什么不同?以導電納米復合材料的研究為例,不同制備方法得到的碳納米管的厚度和長度有所不同。對碳納米管進行準確的表征非常重要(包括長寬比
  • 2024

    05-13

    原位樣品桿知識:原位透射電鏡技術的未來展望

    在科學研究和工業應用中,觀察和理解材料的微觀結構和性質是至關重要的。原位透射電鏡允許研究人員在實時觀察和操控樣品的條件下進行高分辨率成像和表征。并能夠實現直接從原子層次觀察樣品在力、熱、電、磁作用下以及在化學反應過程中研究材料的結構和行為,并直接觀察相變、位錯運動、晶體生長等動態過程。前面我們已經簡單認識了原位透射電鏡技術,也介紹了原位透射電鏡技術的應用領域和發展歷程本篇,我們來簡單聊一下原位透射電鏡技術的在未來展望隨著技術的不斷進步,原位透射電子顯微技術在未來將繼續發揮重要作用,并為科學研究和
  • 2024

    05-11

    【掃描電鏡原理】低加速電壓成像

    【掃描電鏡原理】低加速電壓成像掃描電鏡的加速電壓與束流強度對成像有著決定性的影響。通常來說,操作人員更愿意使用更高的加速電壓去成像,當加速電壓較大時,信噪比更好,分辨率更高,更容易得到“清晰”的圖像。但低加速電壓卻是當今掃描電鏡的發展趨勢,這是什么原因呢?今天,這篇文章將圍繞“低加速電壓成像”展開討論。電子束與樣品相互作用將會激發出多種電子信號,包括背散射電子(BSE)、二次電子(SE)等。二次電子(SE)主要表征樣品的表面形貌信息,激發深度一般低于10nm,主要表征樣品的表面形貌信息。當使用較
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